善用測試和模擬工具優化SiC/GaN特性表徵並加速應用開發─是德科技

歷經多年的發展,碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)技術已日益成熟,並成為許多電子設備製造的新寵。這兩種材料的出現,不僅推動能源效率提升,也符合全球日漸高漲的ESG要求。隨著這些寬能隙半導體技術的成熟與發展,它們在電動車、再生能源系統、資料中心伺服器、工業電源等關鍵領域的應用正急速增加,為綠色轉型提供堅實的技術基礎。然而,導入SiC和GaN功率元件,除了相關開發人員必須對SiC和GaN元件的物理特性有深入的了解外,還須跨越熱管理、驅動控制電路設計、可靠性檢驗、以及成本控制等多重障礙。

本場活動將邀請業界專家與代表廠商,共同探討SiC與GaN技術的最新進展、應用前景、在各種電源應用中的利益與挑戰,以及實踐中遇到的難題與解決策略。同時,也將深入剖析如何有效解決技術轉移過程中的關鍵問題,如提升系統整合度、優化產品性能,並實現成本效益。這不僅是一次學習與交流的機會,更是一場針對電源技術未來趨勢的深度對話。歡迎您踴躍報名參加,一起在這場技術革新旅程中,探索SiC與GaN功率元件帶來的無限可能,將這些創新技術轉化為實際應用的成功案例!

●活動名稱:SiC/GaN功率元件創新應用設計論壇

●主題:善用測試和模擬工具優化SiC/GaN特性表徵並加速應用開發

●主講人:【是德科技(Keysight)技術專案經理/廖士傑】

●會後報導連結: https://bit.ly/3zui2oC

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