歷經多年的發展，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)技術已日益成熟，並成為許多電子設備製造的新寵。這兩種材料的出現，不僅推動能源效率提升，也符合全球日漸高漲的ESG要求。隨著這些寬能隙半導體技術的成熟與發展，它們在電動車、再生能源系統、資料中心伺服器、工業電源等關鍵領域的應用正急速增加，為綠色轉型提供堅實的技術基礎。然而，導入SiC和GaN功率元件，除了相關開發人員必須對SiC和GaN元件的物理特性有深入的了解外，還須跨越熱管理、驅動控制電路設計、可靠性檢驗、以及成本控制等多重障礙。
本場活動將邀請業界專家與代表廠商，共同探討SiC與GaN技術的最新進展、應用前景、在各種電源應用中的利益與挑戰，以及實踐中遇到的難題與解決策略。同時，也將深入剖析如何有效解決技術轉移過程中的關鍵問題，如提升系統整合度、優化產品性能，並實現成本效益。這不僅是一次學習與交流的機會，更是一場針對電源技術未來趨勢的深度對話。歡迎您踴躍報名參加，一起在這場技術革新旅程中，探索SiC與GaN功率元件帶來的無限可能，將這些創新技術轉化為實際應用的成功案例！
●活動名稱：SiC/GaN功率元件創新應用設計論壇
●主題：善用測試和模擬工具優化SiC/GaN特性表徵並加速應用開發
●主講人：【是德科技(Keysight)技術專案經理/廖士傑】
●會後報導連結： https://bit.ly/3zui2oC
