愛思強、格羅方德、美商科磊、新思科技與威科儀器攜手imec共同鎖定12吋晶圓的氮化鎵(GaN)功率元件研究方向，成為首批研究夥伴。該研究方向為imec氮化鎵功率元件產業聯盟計畫(IIAP)的部分，成立目標是開發12吋氮化鎵磊晶成長，以及高壓與低壓氮化鎵高電子遷移率電晶體(HEMT)製程流程。採用12吋基板不只將能降低氮化鎵元件的製造成本，未來還可以實現更先進功率電子元件的開發，例如用於CPU和GPU的高效低壓負載點(POL)轉換器。
氮化鎵快速充電器近幾年快速普及，突顯了氮化鎵技術在功率電子應用的發展潛力。氮化鎵技術將氮化鎵磊晶成長、氮化鎵元件與晶片製造、可靠度與穩健度以及系統級最佳化的持續進展作為後盾，已經為實現新一代功率電子產品做好準備。這些產品未來進入市場時將具備比矽基方案更小的構型尺寸、更輕的重量與更優異的能源轉換效率。例如汽車應用的車載充電器與DC/DC交換器、太陽能板的逆變器，以及電信與AI資料中心的配電系統—基於氮化鎵的構件在這些應用提供社會全面脫碳、電氣化與數位化。
氮化鎵技術開發的一項明顯趨勢是轉向更大尺寸的晶圓，目前大多數可用的產能是8吋。imec技術院士暨氮化鎵功率電子研究計畫主持人Stefaan Decoutere表示，改用12吋晶圓所帶來的好處不只是提高生產規模和降低製造成本而已。我們開發的CMOS相容氮化鎵技術現在可用於頂尖的12吋設備，這些設備將能讓我們開發更先進的氮化鎵功率元件。例如用於POL轉換器的超微縮低壓p型氮化鎵閘極HEMT，為CPU與GPU應用的高能源效率配電提供助力。
作為12吋氮化鎵研究計畫的部分，未來將先建立一套基線橫向p型氮化鎵HEMT技術平台，鎖定100V等的低壓應用，採用12吋矽(111)材料作為基板。為此，目前正在研究以p型氮化鎵蝕刻與歐姆接觸成形為主的製程模組。隨後則是鎖定高壓應用。針對650V以上應用，開發作業會採用12吋符合SEMI標準且與CMOS相容的QST基板(包含多晶氮化鋁核心層的材料)。在這些開發階段，控制12吋晶圓的彎曲度及其機械強度是主要考量。
此次發起12吋氮化鎵研究計畫是在成功完成12吋晶圓承載測試與光罩組開發之後。imec期望在2025年底前於其12吋無塵室完成所有的12吋晶圓產能設置。Stefaan Decoutere補充，12吋氮化鎵開發的成功也仰賴建立一套穩健生態系統的能力，並共同驅動創新，包含從12吋氮化鎵成長與製程整合到封裝解決方案。因此我們很高興宣布愛思強、格羅方德、美商科磊、新思科技與威科儀器成為我們12吋氮化鎵開放研發研究方向的首批研究夥伴，也希望能在不久後迎來更多夥伴。因為開發先進氮化鎵功率電子需要在設計、磊晶、製程整合與應用之間的密切連結—這種連結在我們針對8吋氮化鎵的前瞻研究中已經證實其關鍵作用。
