在消費性電子高度成長以及半導體製程技術持續演進下，EDA工具亦須提升技術以滿足新需求，明導國際(Mentor Graphics)針對65奈米以下的製程，推出第三代光學製程修正技術(OPC)電子設計自動化(EDA)平台Calibre nmOPC。該平台由明導國際與運算系統暨軟體廠商Mercury合作開發，採用IBM、新力與東芝(Toshiba)共同開發的Cell寬頻引擎 (Broadband Engine, BE)處理器核心。
據了解，新力已打算採用該EDA平台開發Playstation 3影像遊戲機，Mercury亦應用於叢集運算(Cluster Compute)，此外，Calibre nmOPC也適用於設計其他消費性電子產品。
相較於前幾代產品，Calibre nmOPC主要是藉由模擬精密度、較高效能與較低擁有成本(Cost of Owner, COO)，強化運算微影(Lithography)曝光技術。微影曝光早已是令廠商相當頭痛的難題，由於受限於光罩及曝光設備的發展尚未成熟，加上EUV 技術的曝光波長太短，易吸收過多材料等，包括英特爾、德州儀器、台積電、瑞薩、三星及松下等大廠多採用乾式ArF曝光技術，如今製程技術正進入45奈米階段，廠商紛紛採用浸潤式ArF曝光技術，以達高解析度和更深的DOF。
而為了繼續使用ArF曝光技術，K1係數應不斷降低，明導設計與製造部門副總裁暨總經理Joe Sawicki表示，當製程技術演進至0.13微米時，K1係數為0.5，90奈米時K1係數趨近0.4，65奈米時趨近0.35，到了45奈米時則達 0.3，而K1係數的急速降低會造成增加解析度增強技術(RET)應用的複雜性，尤其在45奈米製程時，複雜度以及透過製程視窗(Process Window)的更正與證明需求將顯著增加運算的負擔。為解決上述挑戰，Calibre nmOPC採取幾個創新的作法，包括密集模擬、製程視窗完整化OPC、運用協同處理加速器(CPA)的混合運算平台以及設計導向的更正演算法 (Algorithm)等。
在製程演進過程中，COO課題亦成眾所矚目的焦點，COO包括硬體成本、軟體成本、電源、空間與系統可靠性等，Sawicki表示，透過CPA便能大幅降低成本、功耗與尺寸等，以45奈米製程技術為例，比較採用Calibre nmOPC與未具CPA的系統設計，採用Calibre nmOPC不僅提升運算能力超過50%，且每年每系統的電源花費可節省7萬5,000～10萬美元。
