三星發表DDR5模組 記憶體顆粒導入HKMG製程

作者: 吳心予
2021 年 03 月 26 日

2020下半年隨著DDR5標準釋出,產業內積極布局,並預估2021年可能成為DDR5發展的元年。日前三星(Samsung)宣布拓展DDR5 DRAM產品組合,推出採用High-K Metal Gate(HKMG)製程生產的DDR5記憶體顆粒,以及由此顆粒組成的512GB DDR5模組。DDR5提供超過DDR4兩倍的效能,最高可達7,200Mbps,可以協作超級電腦的高階運算效能及高頻寬工作負載、人工智慧(AI)、機器學習(ML)以及其他數據分析應用。

三星發表基於HKMG製程的DDR5顆粒,以及由該顆粒組成的512GB模組

三星DRAM記憶體規畫/執行小組副總Young-Soo Sohn表示,三星是業界少數有能力用HKMG製程技術開發記憶體的企業。透過創新的DRAM製造,提供客戶高效能、低功耗的儲存方案,以滿足醫藥研究、金融市場、自動駕駛及智慧城市等應用的運算需求。

2018年三星的GDDR6即採用了HKMG製程,此次DDR5模組將採用過去用在邏輯製程的高階HKMG技術,有助於縮小DRAM架構,將絕緣層變薄,帶來更高的漏電流(Leakage Current)。透過用HKMG取代絕緣體,三星的DDR5能夠減少功率洩漏並提高效能,減少約13%的功耗,因此適用於日益重視能源效益的資料中心。

此次利用矽穿孔(Through Silicon Via, TSV)技術,在DDR5中可推疊8層16Gb的DRAM晶片,可提供最大512GB的容量。2014年三星首次在DRAM中採用TSV技術,推出256GB的伺服器模組。現階段,三星正在向客戶提供不同DDR5記憶體產品系列以進行認證,最終期望透過已通過認證的產品,加速AI/ML、百億億次(Exascale)運算、分析、網路連線即其他數據密集的工作負載。

標籤
相關文章

三星24Gbps GDDR6 DRAM亮相 顯卡效能躍升可期

2022 年 07 月 18 日

養大金雞母 台積電28奈米產能將擴三倍

2013 年 01 月 18 日

28奈米HKMG量產慢飛 聯電毛利率低點擺盪

2013 年 02 月 07 日

中低價手機成長迅猛 28奈米製程營收續飆高

2014 年 01 月 23 日

搶攻電競/行動PC商機 高通Snapdragon 850問世

2018 年 06 月 06 日

三星HBM-PIM實現記憶體內運算架構

2021 年 02 月 20 日
前一篇
Sony 5G遙控無人電動車 關島上路測試成功
下一篇
技術/標準/資源步步到位 構築永續車載充電系統