三階段高效糾錯機制加持 3D TLC Flash使用壽命大增

作者: 馬中迅
2018 年 02 月 05 日
近年來固態硬碟滲透率與採用率急速提昇,市場趨勢追求更高容量且能降低每位元成本的產品,記憶體大廠紛紛由傳統的2D NAND Flash,轉而導入3D NAND Flash。在2017年,3D NAND Flash出貨比重已經大於50%,一躍成為市場主流製程。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

貫徹製程管制效益卓著  半導體生產週期明顯加速

2016 年 10 月 17 日

深度學習/雲端架構聯手發威 系統晶片設計進入新境界

2018 年 11 月 08 日

高壓縮率演算法加速傳輸 肌電/心電生理訊號即時量

2020 年 07 月 18 日

防盜作為轉型第一步 門鎖智慧主動監控更安心

2022 年 12 月 18 日

善用最小平方法 低軌衛星定位最佳化(2)

2024 年 06 月 28 日

節能技術實現零待機功耗 IEC62301持續落地(2)

2024 年 07 月 09 日
前一篇
鐵路通訊需求日益多元 LTE-R標準2022年上路
下一篇
關稅/政策優勢加持 普源力攻第三世界市場