半導體廠CAPEX排名 三星蟬聯第一/台積躍升第二

作者: 張皓雲
2015 年 07 月 09 日

為維持市場競爭力,各大半導體廠商無不砸下重本投資研發。根據市場研究機構Semico Research統計,2015年半導體廠的總資本支出額預估可達687億美元,較2014年的633億成長9%,並打破2011年638億美元的記錄。


Semico Research技術研究總監Adrienne Downey指出,2015年半導體總資本支出額的90%來自十五間主要大廠。前五名成員與2014年相同,唯順序更動。三星(Samsung)蟬聯第一,台積電躍升第二,去年亞軍英特爾(Intel)則退居第三。海力士(Hynix)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)在2014年各為第四及第五名,今年則因格羅方德投資額增加22%而名次互調。


前十五大廠商中,投資額成長幅度最高的是索尼(Sony)的207%,總額約20億美元。大部分的資本支出都投入在提升影像感測器(Image Sensor)產能上,有些則投入在索尼相對陌生的相機模組(Camera Module)產能上。索尼的資本支出成長額僅次於三星,其中日幣貶值是部分因素。


資本支出排名第一的三星,先前在2014年10月簽署合作備忘錄(MOU)計畫新建晶圓廠,今年5月7日的動工儀式上更宣布投資143億美元,預計廠房將於2017年啟用並在上半年開始上線生產。三星期望該廠能達到業界最高產能,廠址面積約79萬平方公尺。


Downey表示,針對該廠製造的產品三星並不願透露太多,僅稱將主打手機、伺服器以及物聯網(IoT)市場,推論可能包括手機及伺服器動態隨機存取記憶體(DRAM),以及感測器或處理器晶片。


排名第二的台積電,今年成功量產16奈米製程,大幅提升資本效益,使得2015年的資本支出減少10億美元,總額降至108億美元。即便如此,台積電今年支出總額仍大幅高於排名第三的英特爾。


由於良率和產能利用率改善,英特爾2015年的資本支出額較去年少10億美元,來到87億美元。英特爾表示,資本支出縮減情形對該公司而言並非第一次發生,位於美國亞利桑那州的Fab 42廠自2014年1月以來毫無啟用消息即是明顯證明。


至於格羅方德,2015年增加約10億美元的資本支出,幾乎全數投入紐約廠的14奈米製程。


另值得注意的是,中國大陸晶圓代工廠中芯國際(SMIC)將於2015下半年新增兩間晶圓廠。其位於北京的300毫米B2廠正著手40奈米與28奈米製程,設備完善後將能達成35,000片的月產能。中芯國際同樣也在深圳廠增加20,000片8吋晶圓的月產能。最初的10,000片月產能將在2015年第三季進行商業生產,另一半則會在2015年底加入。


中芯國際高層預估8吋晶圓的產能將持續短缺,此波增量因此會持續到2016年。中芯國際今年總資本支出成長50%來到15億美元,其中8億元將會投入北京廠的12吋晶圓產能;其餘部分則會投入到深圳廠的8吋晶圓產能。

標籤
相關文章

台積電與IMEC/SVTC攜手「超越摩爾」

2009 年 10 月 30 日

加碼CAPEX/投入18吋晶圓 台積力保江山

2011 年 01 月 31 日

明導設計工具推陳出新 封測產業聯手因應InFO威脅

2017 年 06 月 20 日

2020年晶圓代工產值可望成長23.8% 先進製程/8吋產能成競爭關鍵

2020 年 11 月 19 日

[評論]從台積電設廠看美國半導體製造復興:談何容易!

2021 年 02 月 04 日

2021年晶圓代工產值將達946億美元

2021 年 04 月 19 日
前一篇
加速物聯網發展 oneM2M聯盟力推統一標準
下一篇
ALT導入CREE高功率晶片提升照明產品性價比