博格華納採用意法SiC技術為電動車設計功率模組

2023 年 09 月 08 日

意法半導體(ST)將與博格華納合作,為其專有的Viper功率模組提供最新之第三代750V碳化矽(SiC)功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅逆變器平台。

Volvo營運長暨副執行長Javier Varela表示,此次合作將有機會進一步提升Volvo電動車的市場關注度,讓其電動車具有更長的續航里程和更快的充電速度。此次合作還將促進該公司在2030年前達成全部車款電動化的目標,並提升產業鏈垂直整合度,同時加強對於關鍵零部件的控制權。

為了充分利用意法半導體SiC MOSFET晶片的性能,博格華納與意法半導體的技術團隊密切合作,致力讓意法半導體的晶片與博格華納的Viper功率開關完美配對,以最大限度地提升逆變器之性能,並實現小型化和成本效益的架構。兩家公司的合作可以形成規模製造能力,滿足電動車市場快速成長的需求。

意法半導體汽車和離散元件產品部總裁Marco Monti說,ST與博格華納的合作將讓Volvo能夠為客戶提供卓越的車輛性能和續航里程。ST決定擴大SiC產能,並擴大SiC的供應,包括供應鏈垂直整合,擴產目的將支援全球汽車和工業客戶朝向電氣化和高效能轉型。

意法半導體在義大利和新加坡兩個工廠量產STPOWER SiC碳化矽功率晶片,並在摩洛哥和中國的封測廠進行先進的封裝測試。2022年10月,意法半導體宣布擴大寬能隙產品之產能,在卡塔尼亞新建一座綜合性SiC基板製造廠。新廠選址卡塔尼亞是因為卡塔尼亞是公司的功率半導體技術中心,亦是碳化矽的研發和製造基地。

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