隨儲存型快閃(NAND Flash )記憶體製程演進，美光(Micron)推出25奈米固態硬碟(SSD)產品，將使價格急速滑落，有助於市場需求攀升。看準此一商機，東芝(Toshiba)、三星(Samsung)與美光等NAND Flash廠商紛紛展開擴產計畫，以避免供不應求情形發生。
因應高容量需求 NAND步入25奈米
看準目前筆記型電腦市場朝向結構輕巧、系統回應能力快速且電池耐力持久等特性發展，美光日前推出25奈米RealSSD C400，發揮NAND Flash高儲存容量、高效能及低功耗特色。
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| 圖1 美光客戶端SSD產品事業群總經理Justin Sykes表示，在蘋果筆記型電腦MacBook的引領下，筆記型電腦導入SSD力道全開。 |
美光客戶端SSD產品事業群總經理Justin Sykes表示，C400為第一個採用25奈米的NAND快閃記憶體SSD產品，容量範圍從64GB至512GB，並且擁有1.8和2.5吋兩種不同的尺寸。與上一代產品相同，該產品亦支援序列式先進附加介面(SATA)6Gbit/s，可接通主機處理器和SSD之間傳輸資料的路徑，提高系統整體回應速度，加速啟動及應用程式載入時間。
值得注意的是，C400讀取速率可達415MB/s，比美光上一代硬碟讀取速率提升17%。至於不同容量產品的寫入速率也不同，C400 512GB硬碟的寫入速率可高達260MB/s，比C300產品提升至少20%的效能。
Sykes表示，SSD具有低耗電能、結構輕巧、耐衝撞和抗震等優點，除桌上型電腦應用外，該產品也同時瞄準工作站及工業應用等市場，目前獲得筆記型電腦製造商青睞，已於2011年2月進入量產階段。
IDC固態記憶體技術研究經理Jeff Janukowicz預計，在未來3年中，每年應用於可攜式電腦的SSD總出貨量將大幅增加。RealSSD硬碟技術則可滿足成本效益的方案，可提高效能、降低功耗，持續推動SSD成為主流的儲存應用產品。
先進製成推波助瀾 NAND Flash降價有望
Sykes指出，應用於消費性電子產品的SSD產值持續提升，預計2012年全球SSD出貨量將突破三千萬個，產值更超過30億美元，其中占比最高的應用產品為筆記型電腦。驅動SSD需求提升的最大的因素來自先進製程NAND Flash，不僅美光率先進入25奈米，東芝也宣布2012年將進入10奈米製程，將有助記憶體容量攀升，並降低單位價格。
由於2010年美光SSD產品曾在亞洲地區發生供不應求情形，因此其新加坡NAND Flash廠和中國大陸西安模組廠將於2011年提升產能，以避免供不應求的情形再度發生。根據DRAMeXchange指出，東芝將於今年持續投注在嵌入式快閃記憶體產品，並進一步提升產品附加價值，至於三星和海力士(Hynix)NAND Flash產能也將提升，與2009年第四季相比，成長率分別為30%及15%。
目前普遍導入消費性電子產品的SSD容量為64GB，而原始設計製造商(ODM)需求則普遍為125GB，2011年也將維持此一狀況。但綜合市場研究機構報告指出，客戶端每GB的SSD價格呈現下滑走勢，2011年為1.39美元、2012年為0.85美元，2014年更降至0.45美元。Sykes指出，價格將連帶影響SSD使用容量，全球客戶端SSD平均容量將可望從2010年100GB提升至2014年的200GB。
Sykes表示，目前美光SSD產品以美國市場比占最高，達70%，其他20%在亞洲市場，歐洲則有10%，值得注意的是，2011年亞洲市場在ODM的帶動下，可望有顯著的提升。
日本地震擾亂 NAND可望快速復甦
在SSD成長帶動下，NAND Flash市場備受矚目，但突如其來的日本東北大地震卻對NAND Flash投下一顆不確定的炸彈，致使市場面臨供貨吃緊及資訊匱乏的情勢。根據DRAMeXchange表示，日本地震影響造成NAND Flash市場資訊不明，且面臨可能缺貨的狀況，導致NAND Flash於3月上旬平均價格急漲約5～15%。至於市場不確定性的主因包括災害後IC上游原物料供應恐吃緊，以及東芝位於四日市的NAND Flash廠晶圓受損的狀況不明朗所致。
由於NAND Flash上游原物料及設備供應商的廠房位於日本東北及關東地區，限電及供電不穩的情勢及聯外運輸基礎設施損毀等因素，皆考驗NAND Flash供應鏈。其中，下游廠商無法維持穩定生產，如信越化學(Shin-Etsu Chemical)部分的IC矽晶圓產能來自福島縣白河廠，目前處於停工狀態；至於另一家供應商SUMCO在山形縣米澤廠也暫時停工檢修中。
然而，DRAMeXchange指出，主要NAND Flash廠商皆採取分散矽晶圓採購來源政策，一般而言，業者矽晶圓庫存水位維持在1.5～2個月，短期不至於影響NAND Flash的生產，只要全球主要的IC矽晶圓供應商的信越化學白河廠能在一個月內回復到穩定生產狀況，IC業者即可望在2011年第二季避開矽晶圓供貨吃緊的窘境。此外，目前NAND Flash廠商對20、10奈米等製程技術的微縮顯影設備，仍將以採用非日系供應商的產品為主，因此無太大風險。
另一方面，東芝、新帝(SanDisk)的300毫米Fab3 & Fab4合資廠未受損，雖然因大地震的影響減少晶圓投片，整體已經回復到正常生產軌道。DRAMeXchange估計，自地震發生以來，晶圓投片減損量恐造成東芝、新帝在2011年第二季上半的總產出量最多減少10%，若其他NAND Flash廠商未增加供給量，預估2011年第二季全球NAND Flash總位元供給量最多將減少4%。
即便如此，在非蘋果(Apple)平板裝置於2011年第二季出貨量不如預期，以及3～6月仍是記憶卡傳統淡季的情況下，原本產業界對NAND Flash價格升高的疑慮可望因此減緩，整體而言，全球NAND Flash市場可望回歸正軌。
