安全GaN FET加持 圖騰柱無橋PFC超越鈦金級效率

2016 年 07 月 14 日
氮化鎵(GaN)技術由於出色的開關特性和不斷提升的品質,近期來逐漸得到電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN FET可實現更高的開關頻率,效率更超越鈦金級門檻要求,從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

生物安全技術需求殷切 臉部辨識技術亟待突破

2008 年 07 月 30 日

連接體感控制器和RFID MCU強化電視遙控器功能

2012 年 07 月 15 日

升壓PFC助陣 HB LED發光效率提升

2012 年 07 月 30 日

數位分身賦能增材製造 智慧模擬有效提升生產效率

2022 年 08 月 01 日

四大技術各有新突破 矽光子整合難題有解

2022 年 08 月 18 日

電阻材料百百種 選對電阻特性保產品穩定(1)

2024 年 03 月 12 日
前一篇
硬體/軟體/雲端三合一 司亞樂全力進攻物聯網市場
下一篇
高/低頻量測面臨新難題 國家儀器VST 2.0一手搞定