安全GaN FET加持 圖騰柱無橋PFC超越鈦金級效率

2016 年 07 月 14 日
氮化鎵(GaN)技術由於出色的開關特性和不斷提升的品質,近期來逐漸得到電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN FET可實現更高的開關頻率,效率更超越鈦金級門檻要求,從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

驅動器架構打樁 高功率照明應用放光芒

2008 年 10 月 01 日

機器視覺克服蓄電池裝配挑戰 汽車生產線效率大增

2016 年 01 月 23 日

環保節能效益盡顯 自動需量反應系統顯神通

2015 年 07 月 09 日

USB型即時頻譜分析儀問世 EMI相容性測試成本銳減

2016 年 01 月 10 日

電子產品熱管理考驗多 石墨烯散熱方案解決燙手山芋

2016 年 09 月 05 日

運算效能需求再突破 AI PC大舉導入高速記憶體(2)

2024 年 05 月 15 日
前一篇
硬體/軟體/雲端三合一 司亞樂全力進攻物聯網市場
下一篇
高/低頻量測面臨新難題 國家儀器VST 2.0一手搞定