安全GaN FET加持 圖騰柱無橋PFC超越鈦金級效率

2016 年 07 月 14 日
氮化鎵(GaN)技術由於出色的開關特性和不斷提升的品質,近期來逐漸得到電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN FET可實現更高的開關頻率,效率更超越鈦金級門檻要求,從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

創意設計加持 電容式觸控按鍵老店新開

2010 年 01 月 25 日

不受本地振盪器牽制 雙訊號源VNA立功

2010 年 01 月 28 日

搭配最適PFC電路 LLC共振式轉換器效率大增

2013 年 09 月 23 日

創新電子材料助臂力 3D晶片製程挑戰迎刃解

2015 年 12 月 28 日

引進CRC/3DS架構 DDR4資料傳輸性能/可靠度躍升

2015 年 02 月 02 日

優化磁感應電能轉換 無線充電線圈設計最佳化

2021 年 02 月 01 日
前一篇
硬體/軟體/雲端三合一 司亞樂全力進攻物聯網市場
下一篇
高/低頻量測面臨新難題 國家儀器VST 2.0一手搞定