安全GaN FET加持 圖騰柱無橋PFC超越鈦金級效率

2016 年 07 月 14 日
氮化鎵(GaN)技術由於出色的開關特性和不斷提升的品質,近期來逐漸得到電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN FET可實現更高的開關頻率,效率更超越鈦金級門檻要求,從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

不確定度大幅降低 新型RF/微波校正源量測法誕生

2009 年 02 月 26 日

效能/成本/尺寸通盤考量 電池/充電管理更上層樓

2010 年 07 月 15 日

強化寬頻閘道器資料鏈結支援 DECT ULE串連家庭聯網裝置

2015 年 04 月 02 日

組織化分析資安風險 聯網工廠拒當駭客天堂

2020 年 07 月 30 日

電動車布局決勝關鍵 多物理分析加速馬達設計(1)

2023 年 04 月 06 日

EDS分析應考量輕元素吸收效應 碳/氮/氧低能量X光易被吸收(1)

2024 年 09 月 13 日
前一篇
硬體/軟體/雲端三合一 司亞樂全力進攻物聯網市場
下一篇
高/低頻量測面臨新難題 國家儀器VST 2.0一手搞定