富士通宣布推出型號為MB85RS2MTY的2 Mbit FRAM。此款容量最高的FRAM產品能在高達攝氏125度的高溫下運作，其評測樣品現已開始供應。
此款FRAM非揮發性記憶體在運作溫度範圍內能保證10兆次讀/寫週期，並支援像記錄駕駛資料或即時定位資料等這類持續且頻繁的資料記錄。由於該記憶體屬於非揮發性，即使遇到突然斷電的狀況，寫入的資料也能受到保護不會遺失。因此，這款產品適用於需在高溫環境中運作的應用，像是具有會產生大量熱能的引擎或馬達的汽車設備與工業機器人。
富士通在過去約20年量產各種FRAM非揮發性記憶體產品，具備比EEPROM及快閃記憶體更高的讀/寫耐用度、更快的寫入速度及更低的功耗。近幾年來，這些產品被廣泛應用於穿戴裝置、工業機器人與無人載具。
這款擁有2 Mbit密度的產品採用SPI介面，支援從1.8伏特至3.6伏特的廣泛電壓範圍，且運作耐熱度可高達攝氏125度；即使在這樣的高溫環境也能保證10兆次的讀/寫次數，相當於EEPROM的一千萬倍，而最高運作頻率則達到50MHz，比現有產品快1.5倍。此外，這些產品的可靠度測試符合AEC-Q100 Grade 1標準，達到被稱為「汽車級」產品的認證標準。
此款FRAM採用業界標準8-pin SOP封裝，使其能輕鬆取代現有類似腳位的EEPROM產品。此外，也提供擁有8-pin DFN(Dual Flatpack Non-leaded)的封裝。
