導入閘極屏蔽結構 溝槽式MOSFET功耗銳減

2014 年 03 月 24 日
更高系統效率和功率密度,是現今數據和電信電源系統設計的首要目標。為達此一目的,半導體開發商研發出採用閘極屏蔽結構的新一代溝槽式金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),可顯著降低全負載及輕負載時的功率損耗。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

突破TRIAC技術 LED照明調光設計更精簡

2010 年 04 月 15 日

諧振頻率迥異 多模無線充電挑戰重重

2013 年 11 月 16 日

MCU硬體加速引擎發功 工業驅動與控制系統性價比躍升

2015 年 07 月 18 日

採納黑盒子診斷法 電源供應器失效分析更省力

2015 年 07 月 13 日

留意直流偏差效應 MLCC電容損耗免煩惱

2019 年 11 月 07 日

UV光子晶片問世 顯微技術革新在望(2)

2024 年 04 月 22 日
前一篇
確保企業級儲存設備性能 SSD效評與驗證重要性倍增
下一篇
ADI擴充SDR平台解決方案