導入H型橋式拓撲架構 1,700V IGBT提升轉換效能

作者: 趙振波
2013 年 11 月 18 日
絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)模組可望大幅提升比價比。因應市場愈來愈激烈的價格競爭,IGBT模組開發商研發出採用H型橋式拓撲電路架構的新一代1,700V解決方 案,不僅體積較市面上既有產品更加小巧,且轉換效率和耐用性也相對出色,已快速在市場上嶄露頭角。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

充電效率與安全性躍升 無線充電增進手機使用體驗

2012 年 08 月 06 日

多種降噪演算法並用 可攜式裝置IP通訊品質大躍升

2013 年 10 月 07 日

突破寄生效應桎梏 7奈米FinFET製程技術不卡關

2015 年 07 月 02 日

打破孤島困境 TSN帶來數位轉型新契機

2022 年 08 月 11 日

取得電路布局/避免侵權 半導體逆向功程知己知彼

2022 年 08 月 28 日

整合嵌入式系統/神經網絡/邊緣運算 Easy Chat+為障礙者發聲(3)

2024 年 03 月 07 日
前一篇
雷射複合切割/邊緣修補技術助臂力 超薄玻璃基板不再破裂
下一篇
NI名列前25大全球最佳跨國企業職場