延續半導體量產經濟效益 EUV成10奈米製程發展關鍵
半導體的發展隨著摩爾定律(Moore’s Law)演進，雖然是關關難過但還是關關過，其中在製程技術上，主要瓶頸在微影製程的要求不斷提高，目前主流曝光技術是採用波長193奈米(nm)的浸潤式曝光(Immersion)技術；然而，進入32/28奈米以下製程節點，現有單次曝光製程已無法滿足先進製程閘極線寬製作需求，須導入與以往不同且更繁複的雙重曝光(Double-Patterning)技術，製造流程如圖1所示。
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