從2D FET到2D CFET 製程微縮帶動2D材料需求(1)
為延續摩爾定律(Moore’s Law)，半導體製程微縮的技術創新方向不斷轉變。採用2D結構的互補式場效電晶體(CFET)，將是下一個推動產業變革的技術。 近二十年來，受摩爾定律啟發的純電路微縮，已不再是預測CMOS技術節點演變的唯一指標。第一個徵兆出現在2005年左右，當時Dennard縮放已經開始放慢。(編按：Dennard定律是指在固定功耗下，製程節點升級可帶來的性能提升幅度)。...
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