恩智浦(NXP)推出BLC7G22L（S）-130基地台功率電晶體，這是該公司應用其領先業界的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)技術的首款產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化。恩智浦的第七代LDMOS技術可以實現目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產品相比，功率密度提升20%，功率效能增長兩個百分點，而Rth熱阻則降低25%以上。LDMOS基地台前期電晶體的初款原型將於2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進行展示。
恩智浦RF功率產品線行銷部門經理Mark Murphy表示，隨著電信系統商開始提供以高速下鏈封包存取(HSDPA)和長期演進計畫(LTE)等技術為基礎的超高速服務，無線網路基礎設施的功率需求也已達到空前的水準。恩智浦利用第七代LDMOS技術，推出業界性能最高的LDMOS基地台電晶管，其功率增加效率遠高於目前市場上的產品。
第七代LDMOS的性能達到3.8GHz，且輸出電容減少25%，可實現寬頻輸出匹配，進而設計出更簡單、性能更好的Doherty放大器。Doherty經成為新型基地台發射器的首選放大器架構，幫助無線網路系統商提升效率並降低成本。
恩智浦網址：www.nxp.com
