半導體測試設備供應商愛德萬測試近日宣布，推出專為先進半導體製程光罩和極紫外光(EUV)光罩之精密尺寸量測所設計的次世代CD-SEM E3660。與前代E3650相比，E3660在關鍵尺寸(CD)再現性上提升逾20%，幫助製程工程師滿足2奈米節點及更先進製程對光罩製造的要求。透過強化先進元件製造中的微影製程控制，E3660進一步實踐了愛德萬測試在半導體價值鏈中提供全面性測試解決方案的願景。
在先進半導體元件製造中，隨著製程不斷微縮、圖樣日益複雜，微影熱點急劇增加，這些區域在多重曝光及圖樣轉移過程中特別容易產生錯誤。再加上用於形成晶圓電路圖的光罩持續演進，層數更多、幾何更加精細。有鑒於此，需要進行尺寸量測的位置大幅增加，量測系統不僅要滿足高產出要求，還要具備更優異的再現性。
此外，在多光束光罩寫入技術及高效能運算能力持續發展下，業界也開始逐步導入曲線式光罩圖樣。這類圖樣預計在2027年前後，將隨著元件製造採用高數值孔徑(High Numerical Aperture) EUV微影技術而被大量部署。為確保在上述背景下仍能維持「設計到光罩」的一致性，CD-SEM不僅需提供具高再現性的關鍵尺寸量測結果，還要產出更能真實呈現圖樣輪廓的電子顯微鏡(SEM)影像。量測解決方案亦須進化，結合能夠評估複雜光罩特性與原始設計意圖間之偏差的曲率敏感演算法。
在E3660的研發過程中，愛德萬測試與奈米電子與數位技術研究創新中心imec合作，驗證E3650與前代CD-SEM及基於EDA參考資料所產出之CD-SEM結果間的關聯性。這項合作幫助愛德萬測試提升了量測可靠性，並與imec攜手開發及驗證針對曲線幾何的創新量測技術。最新E3660平台正是此合作的成果，實現了2奈米節點光罩製造所需的高再現性、因應日益增加之量測位置的高產出量測能力，並針對曲線圖樣提供獨特量測功能。
透過整合上述技術，E3660將為下一代光罩研發與生產環境提供強大的量測支援。
愛德萬測試初步將鎖定獨立光罩廠和自製光罩廠為E3660部署目標。前者是為外部客戶生產光罩的專業製造商；後者則是半導體製造廠自有的光罩生產設施。此一部署策略將E3660定位為先進光罩開發與生產合格試驗的關鍵評估工具。
