65奈米晶片檢測暨絕緣材料發展(下)

挾高良率/低容量/高可靠性　NCS銅多層導線獲青睞

作者： 高聖弘
2008 年 04 月 16 日
半導體大型積體電路(LSI)遵循摩爾(Moore)法則持續朝超微細化方向發展，目前伺服器等高速微處理器(MPU)與行動電話使用的先端LSI元件設計規則是90奈米，2005年以後各半導體廠商開發的次世代LSI元件，陸續跨足65奈米超微細領域，因此國外廠商推出65奈米世代LSI用、2.25低比誘電率、彈性率高達10GPa，具備高機械強度的多孔(Porous)Low-k材料，與奈米群二氧化矽(NCS)等先進絕緣材料。
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