65奈米晶片檢測暨絕緣材料發展(下)

挾高良率/低容量/高可靠性 NCS銅多層導線獲青睞

作者: 高聖弘
2008 年 04 月 16 日
半導體大型積體電路(LSI)遵循摩爾(Moore)法則持續朝超微細化方向發展,目前伺服器等高速微處理器(MPU)與行動電話使用的先端LSI元件設計規則是90奈米,2005年以後各半導體廠商開發的次世代LSI元件,陸續跨足65奈米超微細領域,因此國外廠商推出65奈米世代LSI用、2.25低比誘電率、彈性率高達10GPa,具備高機械強度的多孔(Porous)Low-k材料,與奈米群二氧化矽(NCS)等先進絕緣材料。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

單晶片降壓開關穩壓器雜訊難解 EMC電流控制模式突破桎梏

2007 年 04 月 30 日

解決關鍵元件耗電問題 行動多媒體裝置電池壽命延長

2008 年 03 月 17 日

車載DSRC通訊顯神通 汽車防撞系統更安全

2014 年 12 月 25 日

訊號分析儀支援TM9模式 8×8 MIMO系統開發達陣

2014 年 11 月 20 日

室內調光追求智慧化 電致變色薄膜透光度彈性調控

2020 年 10 月 26 日

AI人機協作降半導體製程開發成本(3)

2023 年 10 月 27 日
前一篇
照明應用日漸廣泛 LED量測技術/標準化重要性突顯
下一篇
Maxim推出Pre-emphasis驅動器