65奈米晶片檢測暨絕緣材料發展(下)

挾高良率/低容量/高可靠性 NCS銅多層導線獲青睞

作者: 高聖弘
2008 年 04 月 16 日
半導體大型積體電路(LSI)遵循摩爾(Moore)法則持續朝超微細化方向發展,目前伺服器等高速微處理器(MPU)與行動電話使用的先端LSI元件設計規則是90奈米,2005年以後各半導體廠商開發的次世代LSI元件,陸續跨足65奈米超微細領域,因此國外廠商推出65奈米世代LSI用、2.25低比誘電率、彈性率高達10GPa,具備高機械強度的多孔(Porous)Low-k材料,與奈米群二氧化矽(NCS)等先進絕緣材料。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

降低開發時程/成本 PICMG xTCA邁向開放平台

2008 年 10 月 30 日

光譜調變技術啟動補償機制 LED照明顏色更均勻

2013 年 12 月 09 日

硬體模擬器加持 乙太網路SoC測試快又準

2016 年 01 月 28 日

PMIC內建動態電源路徑管理功能 行動裝置延長電池壽命

2015 年 03 月 09 日

優化系統量測校正/簡化設計 穿戴裝置血氧量測更精準

2021 年 11 月 01 日

Silent Switcher/LDO穩壓器聯手贊聲 超音波電源軌改善圖像品質

2022 年 12 月 26 日
前一篇
照明應用日漸廣泛 LED量測技術/標準化重要性突顯
下一篇
Maxim推出Pre-emphasis驅動器