掌握ECC/壞區塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應用效能增

作者: 蒙敏雄 / 陳文榮
2015 年 12 月 10 日
NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區塊,或者好的區塊中含有一些錯誤位元,因此在實際應用時,須搭配使用控制器,透過硬體與軟體進行壞區塊管理,以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元,方能提升嵌入式系統儲存效能。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

實現高效率/低成本 8位元MCU節能功力大躍進

2010 年 06 月 21 日

善用軟體套件 MCU開發事半功倍

2010 年 07 月 19 日

LED發光效率邁大步 固態照明應用前景光明

2011 年 09 月 22 日

借力高整合光學感測器 智慧手機增強使用體驗

2014 年 10 月 06 日

簡化評估波形加速設計驗證 讓5G NR測試訊號符合標準

2019 年 07 月 15 日

互聯汽車資料量指數遽增 車載乙太網路邁向10G+世代

2019 年 12 月 16 日
前一篇
攜手台灣合作夥伴 英特爾加速智慧聯網技術創新
下一篇
貿澤供貨歐司朗高亮度LED