円星科技完成台積電55奈米製程IP開發

2014 年 04 月 21 日

円星科技已完成台積電55奈米(nm)嵌入式快閃記憶體製程技術(Embedded Flash Process Technology)的矽智財(IP)開發,將適用於高速的資料處理、繪圖運算、電源管理,以及手持式行動通訊之設計,並已通過TSMC9000驗證。


円星科技董事長林孝平表示,基於各種優異的技術特性,此IP已獲國際觸控元件大廠的青睞並採用。円星科技將持續推出更多以台積電55奈米嵌入式快閃記憶體製程技術的功能性IP,協助客戶開發具低功耗與成本優勢的高競爭力產品。


此次円星科技以台積電55奈米嵌入式快閃記憶體製程技術開發的IP,包括高密度標準元件庫(High Density Standard Cell)、1PRF靜態隨機存取記憶體(SRAM)編譯器(One Port Register File SRAM Compiler)、單埠SRAM編譯器(Single Port SRAM Compiler)、雙埠SRAM編譯器(Dual Port SRAM Compiler)、Via唯讀存儲記憶體(ROM)編譯器(Via ROM Compiler )以及通用序列匯流排(USB)2.0 OTG等IP。


看好全球觸控面板需求成長與微處理器的出貨量增加,還有百億顆智慧卡晶片商機,以55奈米嵌入式快閃記憶體製程開發的IP,將可協助客戶提升產品競爭力,並拓展多元商機。


円星科技網址:www.m31tech.com

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