檢測大電流、低電壓MOSFET故障機制 比較平面型與凹槽式架構

作者: G.Baz / G.Consentino
2005 年 03 月 02 日
目前一些設計,都需要在線性模型中使用MOSFET,不過,卻沒有詳細的datasheet提供特性描述;另外,現代設備的設計也出現向降低導通電阻的趨勢,以及以降低正向偏置安全工作區域為代價的大電流容量發展方向。因此,本文將比較並討論不同MOSFET架構的實驗結構...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

滿足AED低功耗/瞬間啟動要求 非揮發式FPGA大展所長

2011 年 08 月 22 日

打造高品質軍用電子裝置 多核心處理器軟硬兼施

2011 年 08 月 29 日

借助嵌入式儀器除錯功能 SoC設計驗證事半功倍

2012 年 10 月 18 日

兼具低功耗、體積小優勢 APU打造多螢數位電子看板

2014 年 01 月 12 日

串列式EEPROM襄助 拋棄式醫療配件監管更效率

2014 年 09 月 22 日

OTN技術奠基高效光傳輸平台  DCI光纖網路擴展一路暢通

2016 年 10 月 24 日
前一篇
鉅景推出多項複合式記憶體
下一篇
寬頻接取版圖重分配 WiMAX後發先至