檢測大電流、低電壓MOSFET故障機制 比較平面型與凹槽式架構

作者: G.Baz / G.Consentino
2005 年 03 月 02 日
目前一些設計,都需要在線性模型中使用MOSFET,不過,卻沒有詳細的datasheet提供特性描述;另外,現代設備的設計也出現向降低導通電阻的趨勢,以及以降低正向偏置安全工作區域為代價的大電流容量發展方向。因此,本文將比較並討論不同MOSFET架構的實驗結構...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

LED驅動IC效能大幅躍進 中小尺寸背光源全面升級

2008 年 06 月 09 日

3GPP/3GPP2漸匯流 LTE/EV-DO網路切換需求浮現

2011 年 05 月 26 日

實現HD/3D/WDR成像功能 CMOS鏡頭革新IP監控系統

2012 年 07 月 05 日

感測器整合拓應用領域  機器人再增十八般武藝

2018 年 05 月 10 日

串聯元件/設備/系統/服務產業鏈 台灣應厚植5G通訊自主技術

2017 年 04 月 10 日

【AI守護地球】從靈感到行動:開發者如何打造永續未來

2025 年 09 月 29 日
前一篇
鉅景推出多項複合式記憶體
下一篇
寬頻接取版圖重分配 WiMAX後發先至