檢測大電流、低電壓MOSFET故障機制 比較平面型與凹槽式架構

作者: G.Baz / G.Consentino
2005 年 03 月 02 日
目前一些設計,都需要在線性模型中使用MOSFET,不過,卻沒有詳細的datasheet提供特性描述;另外,現代設備的設計也出現向降低導通電阻的趨勢,以及以降低正向偏置安全工作區域為代價的大電流容量發展方向。因此,本文將比較並討論不同MOSFET架構的實驗結構...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

高齡獨居問題日益嚴重 無線感測網路把關照護工作

2008 年 06 月 25 日

突破安全/電磁干擾問題 車載無線充電器設計達陣

2015 年 12 月 21 日

時脈產生器加強奧援 資料中心頻寬全面提升

2018 年 10 月 13 日

高彈性/相容性加持 ISA100.11a串聯智慧工廠

2019 年 04 月 08 日

無線充電發展尚未定案 快充/公共布建是普及重點

2018 年 01 月 15 日

公共運輸減碳刻不容緩 重型車輛電動化多路齊發

2022 年 08 月 08 日
前一篇
鉅景推出多項複合式記憶體
下一篇
寬頻接取版圖重分配 WiMAX後發先至