檢測大電流、低電壓MOSFET故障機制 比較平面型與凹槽式架構

作者: G.Baz / G.Consentino
2005 年 03 月 02 日
目前一些設計,都需要在線性模型中使用MOSFET,不過,卻沒有詳細的datasheet提供特性描述;另外,現代設備的設計也出現向降低導通電阻的趨勢,以及以降低正向偏置安全工作區域為代價的大電流容量發展方向。因此,本文將比較並討論不同MOSFET架構的實驗結構...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

iPhone畫面幕後功臣 3D顯示晶片當之無愧

2010 年 08 月 16 日

簡易驅動器助臂力 高功率LED照明成本效益大增

2011 年 10 月 17 日

借力高整合光學感測器 智慧手機增強使用體驗

2014 年 10 月 06 日

迎接巨量資料時代 複數光調變技術加速傳輸速率

2015 年 04 月 13 日

數位電源安全/功率密集/高效率達陣 GaN FET/即時MCU相得益彰

2021 年 06 月 20 日

輔助資訊娛樂/資通訊控制/ADAS Wi-Fi 6E導入聯網汽車應用

2023 年 04 月 13 日
前一篇
鉅景推出多項複合式記憶體
下一篇
寬頻接取版圖重分配 WiMAX後發先至