檢測大電流、低電壓MOSFET故障機制 比較平面型與凹槽式架構

作者: G.Baz / G.Consentino
2005 年 03 月 02 日
目前一些設計,都需要在線性模型中使用MOSFET,不過,卻沒有詳細的datasheet提供特性描述;另外,現代設備的設計也出現向降低導通電阻的趨勢,以及以降低正向偏置安全工作區域為代價的大電流容量發展方向。因此,本文將比較並討論不同MOSFET架構的實驗結構...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

兼具靈活與低成本效益 數位功率轉換技術蓄勢待發

2007 年 06 月 29 日

克服影像解析度/視野問題<br>頭戴顯示器創新設計輪番上陣

2009 年 05 月 19 日

搭配模型基礎設計工具 FPGA SoC加速馬達開發

2015 年 04 月 18 日

高整合SoC助臂力 電子設備增添心率監控功能

2014 年 10 月 20 日

克服正負電壓設計難題 觸發雙向可控矽妙用多

2016 年 12 月 29 日

自動量測精準分析先進製程參數 TEM量測助2nm製程不卡關

2023 年 04 月 20 日
前一篇
鉅景推出多項複合式記憶體
下一篇
寬頻接取版圖重分配 WiMAX後發先至