浮動閘極NAND面臨微縮瓶頸 3D/電荷擷取技術露鋒芒

作者: Saied Tehrani
2013 年 08 月 05 日
NAND Flash記憶體進入20奈米以下製程節點後,將面臨嚴峻的微縮挑戰,因此記憶體製造商已加緊投入新技術研發,期以三維(3D)空間儲存格結構或電荷擷取(Charge Trap)技術,實現小尺寸、高容量、高穩定度且兼顧開發成本的新一代NAND...
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