浮動閘極NAND面臨微縮瓶頸 3D/電荷擷取技術露鋒芒

作者: Saied Tehrani
2013 年 08 月 05 日
NAND Flash記憶體進入20奈米以下製程節點後,將面臨嚴峻的微縮挑戰,因此記憶體製造商已加緊投入新技術研發,期以三維(3D)空間儲存格結構或電荷擷取(Charge Trap)技術,實現小尺寸、高容量、高穩定度且兼顧開發成本的新一代NAND...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

提升車用電源系統性能與防護 MOSFET位居要角

2006 年 10 月 03 日

環保/節能議題升溫 ZVS新式電源方案出爐

2006 年 12 月 01 日

迎接高速封包網路世代 CDMA2000/3.5G殊途同歸

2007 年 04 月 30 日

提高電池穩壓效率 可攜式消費電子功耗大幅降低

2010 年 12 月 27 日

邏輯/記憶體特性大不同 3D IC堆疊配置關乎效能良窳

2012 年 03 月 01 日

先進SoC面臨散熱挑戰 熱學分析突顯STCO重要性(2)

2025 年 04 月 11 日
前一篇
高階智慧手機訂單湧進 友達LTPS/OLED營收可期
下一篇
太克擴展高效能混合訊號示波器產品系列