浮動閘極NAND面臨微縮瓶頸 3D/電荷擷取技術露鋒芒

作者: Saied Tehrani
2013 年 08 月 05 日
NAND Flash記憶體進入20奈米以下製程節點後,將面臨嚴峻的微縮挑戰,因此記憶體製造商已加緊投入新技術研發,期以三維(3D)空間儲存格結構或電荷擷取(Charge Trap)技術,實現小尺寸、高容量、高穩定度且兼顧開發成本的新一代NAND...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

SOI提升晶圓良率 電子束檢測技術為關鍵

2005 年 10 月 21 日

開創32位元MCU新潮流 RX CPU架構獨領風騷

2009 年 07 月 15 日

MCU簡化音訊橋接設計 USB取代傳統車用ODB介面

2009 年 07 月 20 日

整合SAR轉換器 ΔΣADC簡化訊號調節路徑

2013 年 03 月 10 日

人工智慧推進演算法/硬體創新 3D相機影像縫接潛力爆表

2021 年 12 月 01 日

高密度電源需求大增 Si/SiC/GaN元件特性各有千秋

2025 年 01 月 23 日
前一篇
高階智慧手機訂單湧進 友達LTPS/OLED營收可期
下一篇
太克擴展高效能混合訊號示波器產品系列