浮動閘極NAND面臨微縮瓶頸 3D/電荷擷取技術露鋒芒

作者: Saied Tehrani
2013 年 08 月 05 日
NAND Flash記憶體進入20奈米以下製程節點後,將面臨嚴峻的微縮挑戰,因此記憶體製造商已加緊投入新技術研發,期以三維(3D)空間儲存格結構或電荷擷取(Charge Trap)技術,實現小尺寸、高容量、高穩定度且兼顧開發成本的新一代NAND...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

節能議題高漲 利用MCU設計車輛油量監視系統

2008 年 04 月 18 日

被動式溫度補償技術助攻 矽振盪器頻率漂移疑慮盡消

2012 年 05 月 17 日

V2X帶來資安考驗 4+1防護打造安全自駕車

2017 年 08 月 13 日

釐清翹曲程度 IC SMT早夭異常迎刃而解

2019 年 10 月 13 日

分析USB認證測試(下) USB PD實體層測項了然於胸

2019 年 03 月 25 日

減少高圖案密度區域金屬腐蝕 半導體CMP製程可靠性提升

2022 年 04 月 09 日
前一篇
高階智慧手機訂單湧進 友達LTPS/OLED營收可期
下一篇
太克擴展高效能混合訊號示波器產品系列