飛索(Spansion)正大舉擴張遊戲和工業版圖。儘管全球景氣未見明朗，飛索仍加碼投資45奈米(nm)製程，並導入平行式(Parallel)與串式(Serial)編碼型快閃(NOR Flash) 記憶體量產，全力進攻較不受景氣影響且市場需求持續看漲的遊戲和工業應用市場。
 |
| 飛索NOR產品行銷副總裁Jackson Huang表示，繼8GB高容量的NOR Flash記憶體後，飛索亦計畫採用45奈米製程開發2GB和4GB容量的平行式NOR Flash記憶體，以提高產品在性價比的競爭優勢。 |
飛索NOR產品行銷副總裁Jackson Huang表示，面對全球景氣渾沌不明，未來飛索將更積極投入65奈米以下的先進製程研發，以強化旗下NOR Flash記憶體產品線的性價比和尺寸競爭優勢，擴大在成長力道強勁的遊戲及工業應用市占。
日前，飛索已宣布推出業界首款採用45奈米製程生產的8GB高容量NOR Flash記憶體系列產品GL-T，主要瞄準遊戲與工業應用對於互動式圖形、動畫、視訊等多元化的功能需求。該系列產品將於12月送樣，預計將於2013年第一季投產。
Huang指出，遊戲與工業產品支援高畫質影像、快速儲存、即時互動的人機介面及與其他裝置互聯的使用體驗已為大勢所趨，激勵配備豐富高解析度的多媒體圖形，以及高容量與高速存取記憶體的遊戲和工業應用裝置蓬勃發展。以工業自動化的生產線人員為例，為提高產線管理效率，一次觀看多張圖片、三維(3D)旋轉、放大、縮小等人機介面功能將蔚為風潮，可望帶動更高存取速度及高容量NOR Flash記憶體需求上漲，也因此，飛索大舉布局更先進製程，以迎合市場趨勢。
Huang強調，相較於競爭對手必須採用兩顆4GB容量的NOR Flash記憶體堆疊才能達成8GB高容量，飛索單一裸晶(Single Die)的GL-T價格與尺寸皆更勝一籌；下一階段，該公司將會持續透過更先進製程開發出16GB高容量、快速存取速度且低成本的NOR Flash記憶體，拉大與競爭對手的差距。
飛索45奈米製程今年已正式啟用，主力生產平行式NOR Flash記憶體。Huang透露，該公司已計畫最快將於2013年底導入串列式NOR Flash記憶體的45奈米製程量產，以因應不同應用領域客戶群的要求。
