瑞薩與Grandis共同合作發展採用自旋轉移65nm MRAM

2005 年 12 月 13 日

瑞薩科技(Renesas)與Grandis, Inc.共同開發採用自旋轉移寫入技術的65nm處理磁性隨機記憶體(MRAM)。瑞薩將在不久的未來，開始出貨採用65 nm製程STT-RAM 的微控制器和SoC產品。
 

MRAM使用磁性物質作為記憶格。這是一種隨機的存取記憶體類型，可根據磁性取向來儲存資料。自旋轉移寫入技術，為一排列通過穿隧磁阻(TMR)元件電子的旋轉方向，來進行資料寫入的科技。而傳統磁場資料寫入技術，是由電流通過靠近TMR元件電線的技術。資料寫入是藉由使用由電線產生的磁場，來改變磁性取向而執行。
 

瑞薩網址：www.tw.renesas.com
 

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