瑞薩與Grandis共同合作發展採用自旋轉移65nm MRAM

2005 年 12 月 13 日

瑞薩科技(Renesas)與Grandis, Inc.共同開發採用自旋轉移寫入技術的65nm處理磁性隨機記憶體(MRAM)。瑞薩將在不久的未來,開始出貨採用65 nm製程STT-RAM 的微控制器和SoC產品。
 

MRAM使用磁性物質作為記憶格。這是一種隨機的存取記憶體類型,可根據磁性取向來儲存資料。自旋轉移寫入技術,為一排列通過穿隧磁阻(TMR)元件電子的旋轉方向,來進行資料寫入的科技。而傳統磁場資料寫入技術,是由電流通過靠近TMR元件電線的技術。資料寫入是藉由使用由電線產生的磁場,來改變磁性取向而執行。
 

瑞薩網址:www.tw.renesas.com
 

標籤
相關文章

u-blox/金立通信GPS手機瞄準中國市場

2009 年 06 月 16 日

盛達獲TiGiS 2011低碳裝潢競賽優勝獎

2011 年 12 月 07 日

凌力爾特µModule轉換器提供700mA輸出電流

2013 年 02 月 08 日

Wolfson音訊方案獲聯發科LTE參考平台採用

2014 年 05 月 07 日

ROHM推1700V全SiC功率模組新品

2018 年 12 月 21 日

羅德史瓦茲完成5G RF一致性測試驗證

2019 年 12 月 27 日
前一篇
飛思卡爾功率管理晶片為行動裝置注入一劑強心針
下一篇
價跌量漲利多不斷 四大明星產業全面成長