瑞薩(Renesas)開發適用於四十五奈米及後續製程世代微處理器及系統單晶片(SoC)低成本且可達成極高效能電晶體製造技術。該技術利用其專利混合架構，提升CMIS電晶體之效能。該公司並於日本京都舉行之「2007年VLSI技術研討會」會場中發表最新的混合架構並展示測試資料。
該半導體製造技術與先前技術類似，同樣擁有內含鈦氮化物(TiN)金屬閘門p-type電晶體，以及內含傳統多晶矽(polysilicon)閘門n-type電晶體。p-type電晶體使用兩層閘門架構取代單層閘門，可更有效地控制門檻電壓。
此外，新混合架構採用張力矽晶(Strained-silicon)生產技術以大幅提升電流驅動能力。相較於原有混合架構，這項創新可提升約20%效能。新架構能以低成本方式生產，無須大幅變更目前世代的製程。
目前已生產出內含四十奈米閘門長度之電晶體的實驗用晶片。針對此晶片執行的測試資料顯示已達到世界最高等級的驅動效能。在供應電壓1.2伏特時，n-type電晶體為1,068微安培/μm，p-type電晶體為555微安培/μm。
瑞薩網址：www.tw.renesas.com
