緊追三星 IMFT投產20奈米NAND裝置

作者: 林苑卿
2011 年 12 月 12 日

英特爾(Intel)和美光(Micron)合資的IMFT,將於2012年上半年投產首款20奈米(nm)、128GB多層單元(MLC)的儲存型快閃記憶體(NAND Flash);此外,20奈米、64GB容量的NAND Flash業已於日前正式量產,成為繼三星(Samsung)之後,全球第二家採用20奈米製程量產NAND Flash的供應商。


美光NAND解決方案事業部門行銷總監Kevin Kilbuck表示,IMFT未來亦將會導入20奈米以下的製程,惟目前不便公開時間表。




美光NAND解決方案事業部門行銷總監Kevin Kilbuck表示,數位內容與高畫質影片數量激增,勢將帶動可攜式裝置終端用戶對於更大記憶容量和小體積NAND Flash需求,因而促使IMFT加快20奈米NAND Flash的發展腳步。


為迎合訴求輕薄小巧且更大記憶體容量的可攜式裝置要求,IMFT首款20奈米、128GB的NAND Flash內共封裝八片裸片,以藉此實現在指尖大小的空間內儲存高達1TB位元的資料量。


據了解,IMFT為克服先進製程的技術挑戰,導入創新的平面式(Planar)單元結構,其能比傳統結構容納更大規模的單元,再結合第一道高介電質/金屬閘極(HKMG),以成功突破標準NAND浮動閘的比例瓶頸。Kilbuck強調,IMFT的20奈米製程良率已可媲美旗下25奈米製程,無論在成本與體積上更具優勢。


事實上,2010年4月,三星已導入20奈米、32GB的NAND Flash量產;為迎頭趕上,IMFT除已於2011年4月,發表20奈米64GB容量的NAND Flash,並緊接著於12月導入量產外,亦計畫於2012年上半年正式生產20奈米、128GB的NAND Flash,且將於1月推出樣品。


隨著三星、美光等競相採用20奈米先進製程量產NAND Flash,Kilbuck預估,2012年第四季至2013年第一季,固態硬碟(SSD)每GB成本可下探至低於1美元。


現階段,IMFT的20奈米製程將會在北美猶他州(Utah)工廠導入量產,預計2012年將會轉移至新加坡工廠產線。目前新加坡廠房100%生產25奈米製程NAND Flash。

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