英飛凌推出整合式半橋解決方案CoolGaN Drive HB 600 V G5 提升氮化鎵易用性

2026 年 03 月 10 日

英飛凌推出CoolGaN Drive HB 600 V G5產品系列,進一步擴大了其CoolGaN產品組合。四款新產品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均採用半橋配置,並在其中整合了兩個600V氮化鎵(GaN)開關,帶有高低側閘極驅動器與自舉二極體,提供緊湊且散熱最佳化的功率級,進一步降低設計複雜度。透過將諸多關鍵功能整合到一個經過最佳化的封裝中,該系列減少了外部元件數量、緩解了快速開關型GaN元件常見的PCB布局難題,協助設計人員縮短開發週期,同時實現了GaN技術的核心優勢:更高的開關頻率、更低的開關與導通損耗,以及更高的功率密度。

英飛凌氮化鎵業務線負責人Johannes Schoiswohl表示:「GaN正在變革電力轉換領域。英飛凌的使命是透過可擴展且易於使用的解決方案,助力客戶充分實現這一變革。這次新推出的整合式解決方案集高速GaN性能、高整合度和可靠性於一身,可協助設計人員加快開發進程、縮小系統體積,並提升效率,突破緊湊型電力電子產品的極限。」

該整合式半橋解決方案是針對低功耗馬達驅動系統和切換式電源而設計,可在空間有限的設計中實現更小的磁性元件與被動元件,並在各種運作條件下維持高效率與優異的動態性能。該元件專為高速精密系統而設計,可實現超快速切換,傳播延遲僅為98 ns,並且偏差極小,能有效支援高頻率運作,同時保有可預測的時序表現。為簡化系統整合,該解決方案支援相容標準邏輯電平的PWM輸入,僅需單一12V閘極驅動供電即可運作。同時,具備快速UVLO恢復功能可幫助確保啟動及電源瞬態事件中的穩定表現。為獲得出色的散熱性能,該產品採用6×8 mm² TFLGA-27裸露焊盤封裝,可在眾多應用場景中實現高效散熱並支援多數應用中無需散熱片的設計。

這些全新解決方案結合了英飛凌成熟的CoolGaN元件技術、系統級整合能力,以及深厚的電源轉換專業知識,進一步強化了英飛凌在GaN市場的領先地位,使客戶能夠更加從容地採用GaN技術,並在工業和消費電子平台上實現高效設計的規模化應用。

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