英飛凌(Infineon)推出全新CoolSiC技術：CoolSiC MOSFET 1,200 V M1H。這款先進的碳化矽(SiC) 晶片將透過常見的Easy模組系列以及 .XT互連技術的獨立封裝，建置於廣泛擴充的產品組合。M1H晶片具備高度靈活性，適用於太陽能系統(如逆變器)等需要滿足峰值需求的應用，同時也是電動車快速充電、能源儲存系統及其他工業應用的理想選擇。
CoolSiC技術的最新進展可顯著擴大閘極操作窗口，從而改善給定裸晶尺寸的導通電阻。同時，更大的閘極操作窗口提供了對閘極驅動器和布局相關電壓峰值的高魯棒性，即使在更高的切換頻率下，也不會受到任何限制。隨著M1H晶片技術的發展，相關的外殼也採用了相似的技術與封裝，藉以實現更高的功率密度，可為工程師提供更多選擇來提升應用性能。
M1H將會整合至業界常用的Easy系列中，可進一步加強Easy 1B與2B模組。此外，還將推出一款採用全新1,200V CoolSiC MOSFET強化Easy 3B模組的新產品。新晶片尺寸的推出最大限度地提高了靈活性並確保了最廣泛的工業產品組合。M1H晶片可大幅改善模組的導通電阻，使裝置更有效率、更加可靠。
此外，最大暫態接面溫度為175°C以及過載能力的提升，可實現更高的功率密度與故障事件覆蓋率。與前代M1相比，M1H採用較少量的內部Rg，更易於最佳化切換特性。透過M1晶片，仍可保有動態特性。
