華邦電子於IIC 2007展中推出目前市場上較大容量的虛擬靜態隨機存取記憶體(Pseudo SRAM) W968D6B，該元件特色包括符合CellularRAM 1.5G標準，具256MB容量，頻率可達133MHz。
手機新的功能陸續推出，如彩色圖片瀏覽、VA遊戲下載、數位相機模組搭載等，使手機記憶體中的RAM緩衝記憶體(Buffer)需求量大增，且記憶體容量需求的提升，促使Pseudo SRAM成為資料暫存部分的記憶體，近年來成為取代傳統6T SRAM在手機上的地位。
Pseudo SRAM具大記憶體容量、低成本、高時脈速度、低功率消耗等優點，在許多通訊應用領域中，目前需成本更低、容量更大的低功率記憶體，而未來的Pseudo SRAM產品將會以更具吸引力的價格，提供更大容量和更低功率，滿足這些市場的需求。
Pseudo SRAM是由動態隨機存取記憶體(DRAM)macro core + SRAM介面(Interface)架構組成。DRAM macro core為採取傳統DRAM為核心，記憶體面積(Memory Cell)由1個電晶體(Transistor )加上 1個電容器(Capacitor)組成，SRAM Interface則設計與傳統SRAM特性相容的架構。Pseudo SRAM設計一個記憶體晶片上(On-chip Refresh Circuit)，外接的介面則採SRAM介面，以增加讀取速度並降低使用者在設計上的困擾。製程上Pseudo SRAM可使用現有DRAM製程，記憶體大小已可縮小至110奈米及90奈米製程，降低Pseudo SRAM成本。
華邦電子網址：www.winbond.com.tw
