蝕刻時間/缺陷率呈正函數關係 SiC晶圓表面處理時間要抓緊

2016 年 08 月 25 日
碳化矽(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但儘管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進,這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實,晶圓襯底的表面處理時間越長,則表面缺陷率也會跟著增加。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

實現智慧型吸塵器自動歸位功能 MCU動態座標精確計算

2011 年 05 月 19 日

借力低成本FPGA串列功能 雙影像感測器設計挑戰有解

2012 年 07 月 14 日

結合新畫素格式與演算法 Clarity+提升低照度圖像品質

2013 年 10 月 03 日

通道模擬器結合電波暗室 MIMO OTA量測更逼真

2013 年 10 月 13 日

新一代SPU微控制器助力 雷達應用/安全再上層樓

2018 年 10 月 08 日

健康數據串連醫療照護 醫療物聯網優化診療品質(2)

2024 年 03 月 11 日
前一篇
搶食IIoT大餅 Wind River鎖定四大應用領域
下一篇
R&S開發全新示波器觸發/解碼軟體