蝕刻時間/缺陷率呈正函數關係 SiC晶圓表面處理時間要抓緊

2016 年 08 月 25 日
碳化矽(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但儘管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進,這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實,晶圓襯底的表面處理時間越長,則表面缺陷率也會跟著增加。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

封裝材料/晶粒配置持續進化 高功率LED封裝迭有突破

2008 年 08 月 25 日

類比/PWM調光搭配得宜 LED照明色彩更繽紛

2014 年 08 月 21 日

電源供應器搭配浪湧保護元件 LED照明系統延長使用壽命

2015 年 11 月 26 日

簡化USB Type-C Alt模式測試 新一代驗證解決方案展妙用

2017 年 04 月 17 日

EUV微影面臨六大挑戰 材料工程/計量技術解難題

2022 年 09 月 01 日

量子雜訊現難題 AI解碼器改寫糾錯賽局

2025 年 11 月 17 日
前一篇
搶食IIoT大餅 Wind River鎖定四大應用領域
下一篇
R&S開發全新示波器觸發/解碼軟體