蝕刻時間/缺陷率呈正函數關係 SiC晶圓表面處理時間要抓緊

2016 年 08 月 25 日
碳化矽(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但儘管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進,這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實,晶圓襯底的表面處理時間越長,則表面缺陷率也會跟著增加。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

蜂巢式基地台RF訊號複雜 分離式元件助提升PA效能

2008 年 11 月 28 日

克服內建單播/廣播傳輸挑戰 3G行動電視架構成形

2008 年 12 月 15 日

新邊界掃描測試系統出爐 JTAG鏈擴大測試範圍

2008 年 12 月 29 日

提升車用照明安全性 LED開關穩壓器舉足輕重

2010 年 05 月 06 日

實現家庭智慧控制 能源管理網路標準百家爭鳴

2013 年 12 月 15 日

破壞式創新建立新典範 5G NR專網實現智慧醫療

2022 年 12 月 11 日
前一篇
搶食IIoT大餅 Wind River鎖定四大應用領域
下一篇
R&S開發全新示波器觸發/解碼軟體