蝕刻時間/缺陷率呈正函數關係 SiC晶圓表面處理時間要抓緊

2016 年 08 月 25 日
碳化矽(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但儘管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進,這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實,晶圓襯底的表面處理時間越長,則表面缺陷率也會跟著增加。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

整合無線存取控制功能 交換器實現有/無線網路一體化

2013 年 07 月 14 日

強化車載電子系統安全性 車輛EMC設計/驗證至為關鍵

2015 年 01 月 11 日

高頻功率切換損耗低 高速IGBT增強PV變頻器效能

2015 年 01 月 14 日

眾多元件同步翻新 EV電池管理性能大增

2017 年 08 月 06 日

USB Type-C介面設計門檻高  TCPC解決電力傳輸難題

2017 年 03 月 23 日

DDC即時監控達陣 直接數位控制器實現建築永續

2023 年 12 月 13 日
前一篇
搶食IIoT大餅 Wind River鎖定四大應用領域
下一篇
R&S開發全新示波器觸發/解碼軟體