飛思卡爾半導體發表第七代高電壓(HV7)射頻LDMOS技術，此項技術可以滿足WiMAX基地台在3.5 GHz頻帶中運作時所需的射頻功率放大器效能。飛思卡爾以射頻LDMOS技術達成此功能需求。
即使飛思卡爾已經具備12V砷化鎵擬態高速移動電子電晶體(PHEMT)的產品線，該公司仍計畫繼續研發高電壓砷化鎵PHEMT技術，專供設計WiMAX系統內的高功率砷化鎵元件、以及其它在2 GHz至6 GHz間運作的應用所需。
由於飛思卡爾同時提供了射頻LDMOS及砷化鎵PHEMT這兩種技術的功率電晶體，因此該公司的射頻解決方案幾乎可以支援所有高功率的無線設備–其中LDMOS的效能可達3.8 GHz、而砷化鎵PHEMT的效能更高達6 GHz。
首批3.5 GHz LDMOS元件的樣品現已備齊。MRF7S38075H是一組75瓦的P1dB射頻電晶體，不但足以承擔42dBm (16W)的平均功率，同時亦可滿足WiMAX在3.5 GHz頻帶運作時的性能需求。此外，40瓦及10瓦的P1dB 3.5 GHz元件樣品亦預計在2006年2月上市。這三種進階的LDMOS元件補足了飛思卡爾現有以2.3、2.5及3.5GHz頻帶為主的WiMAX/WiBRO射頻功率電晶體產品線。
飛思卡爾網址：www.freescale.com/
