隨行動裝置的興起快速壓縮個人電腦(PC)市場，導致動態隨機存取記憶體(DRAM)需求下滑，半導體解決方案大廠三星電子(Samsung)於9月29日第八屆三星行動解決方案論壇中宣布，明年將持續縮減PC DRAM產量，同時將重心移轉至行動裝置與伺服器等市場，可望加速行動裝置DRAM技術與製程發展。
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| 三星電子半導體事業暨裝置解決方案事業社長權五鉉表示，為降低風險，調降PC DRAM生產已勢在必行。 |
三星電子半導體事業暨裝置解決方案事業社長權五鉉表示，由於目前傳統PC市場對於DRAM的需求委靡不振，導致供過於求的情形使DRAM價格崩盤。為降低公司營運風險，將PC DRAM的產能調降已無可避免。然而，行動裝置與伺服器等DRAM需求則預計2012年將會持續且穩定的成長，因此該公司將開始拉高相關DRAM產能。目前三星的整體DRAM產量中，行動裝置與伺服器合計共占70%，其他含PC的部分則占30%。
不過，權五鉉進一步表示，儘管三星調降PC方面的DRAM產能，但不代表會因此放棄PC市場，只是現階段調降產能可降低生產成本，是必要措施，也是目前全球各家DRAM廠都在執行的策略。眼前最重要的目標，是要鎖定正快速增長的行動裝置與伺服器的DRAM市場需求，而獲取客戶訂單的關鍵之，則在於技術領導力與如何替客戶創造更高的產品價值。
為協助客戶打造更高性能、更有差異性的產品，三星已研發出30奈米(nm)4GB第三代低功耗雙倍資料率(Low Power Double Data Rate 3, LPDDR3)行動DRAM技術，並開發出以20奈米64GB儲存型快閃(NAND Flash)記憶體打造的高性能內嵌式記憶體(embedded Multi Media Card, eMMC)，並於明年開始將大量應用在新款的智慧型手機與平板電腦等終端裝置中。
據了解，4GB LPDDR3的啟動速度比現有的4GB LPDDR2快1.5倍，資料傳輸量最高能夠達到12.8GBit/s；最高儲存容量也從兩段積層4GB LPDDR2的1GB(8Gb) 擴大到四段積層的2GB(16Gb)，未來市場上大容量記憶體的比重可望快速增加。而新推出的20奈米64GB內嵌式記憶體則是針對行動裝置市場所設計，該產品厚度僅1.4毫米(mm)、重量0.6公克(g)，並可儲存高達一萬六千多首MP3歌曲，讀取速度比起30奈米的64GB內嵌式記憶體快四倍。在連續讀取速度與寫入速度方面則實現80Mbit/s、40Mbit/s，比起過往的產品快上三倍，進一步提高產品競爭力。
對於下一代行動裝置處理器的布局，權五鉉特別強調，未來行動裝置下一代的處理器朝向多核心邁進已是必然趨勢，三星也一直都在進行多核心處理器相關產品的開發工作。而設計多核心處理器中的關鍵技術–三維晶片(3D IC)也已經準備就緒，待解決成本問題後，相信2～3年後，利用3D IC技術所製成的多核心處理器即可問世，為行動裝置帶來更大的突破性發展。
