克服多重圖案成型挑戰 全方位製程控制方案露頭角

作者: Brian Trafas
2015 年 06 月 30 日
半導體產業已發展到以多重圖案成型和間隙壁分割等創新技術,來克服浸潤式微影系統的193奈米解析度屏障。這些技術之所以被廣泛的使用,是由於遲遲無法採用現在被視為適用於7奈米設計節點的極紫外光(EUV)曝光機。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

專訪Numonyx執行長Brian Harrison

2010 年 03 月 01 日

降低照護支出 平價醫療電子需求增溫

2011 年 06 月 09 日

NTT東西日本啟動光纖批發服務 日本寬頻市場波瀾再起

2015 年 11 月 28 日

鈺創科技董事長盧超群專訪 產學合作解高階人才缺口

2018 年 01 月 18 日

專訪Litepoint亞洲區應用工程技術部協理謝定龔 True MIMO增進5G應用量測效率

2018 年 01 月 27 日

電動車衝擊電網穩定 充電設備功能要求更全面(2)

2024 年 03 月 28 日
前一篇
專訪Altera全球業務開發總監Patrick Wadden 數位電源躍居FPGA SoC設計新寵
下一篇
安立知新一代向量網路分析儀兼顧性能與成本