搶攻DRAM市場商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。該元件採用高敏感度的單元資料感測系統(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。
DRAM市場表現強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅；未來DRAM預計將成為至今半導體產業內最大的單一產品類別，產值高達720億美元。
為迎合市場龐大需求，三星記憶體事業部門總裁Gyoyoung Jin表示，第二代DDR4 DRAM的電路設計與製程新技術，讓該公司突破DRAM擴展性的主要障礙；三星將加速新產品的量產，同時也積極擴大第一代DDR4 DRAM的產量。
據悉，三星第二代10奈米製程所生產的8Gb DDR4 DRAM，比第一代在生產效率上提高了近30%。同時，為提升DRAM效能，該元件使用全新技術，分別為高敏感度的單元資料感測系統及「空氣間隔」方案，而非過往的EUV技術。
三星指出，透過高敏感度的單元資料感測系統，可更精準確定每個記憶體單元內儲存的資料，提升電路整合度以及製造生產力；而在字元線(Bit Lines)周遭放置空氣間隔，可降低寄生電容，達到更高等級的微縮及快速的單元運作。
新技術的加持讓第二代8Gb DDR4 DRAM的性能和省電效益分別提高了約10%和 15%；且每個引腳能以每秒3,600Mbit/s的速度運行，比第一代的8Gb DDR4 DRAM的3,200Mbit/s速度，提升10%以上。
三星指出，在第二代10奈米等級DRAM所採用的創新技術，將讓該公司能加速未來DRAM晶片的問世，包括DDR5、HBM3、LPDDR5與GDDR6，用於企業伺服器、超級電腦、高性能運算系統，以及行動設備等。
目前三星已和CPU製造商完成了第二代8Gb DDR4 DRAM模組的驗證，接下來計畫將與全球IT企業緊密合作，開發更高效的運算系統。未來三星除迅速增加第二代10奈米DRAM產量外，也將持續生產更多第一代DDR4 DRAM的產量，以滿足日益增長的DRAM市場。
