剖析BSIM3v3模型萃取方式(上) 元件模型參數再進化

作者: 許仲延
2006 年 04 月 10 日
BSIM3模型是由加州大學柏克萊分校(UC Berkeley)在1993年發表的重要技術,而此元件模型可用來模擬含括0.18μm (0.1×10-6m)MOS元件的類比電路及數位電路...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

電源:LED與Flashlamp的優劣比較 照相手機閃光照明的解決方案

2005 年 06 月 02 日

OCC新技術結合CCM與DCM的優點 簡化功率因素校正的應用設計

2005 年 07 月 13 日

建立增益參數模型 簡化電流模式控制

2007 年 08 月 15 日

HDMI 2.1版火熱出爐 高畫質影音需求風起雲湧

2018 年 02 月 12 日

提升效率/縮減尺寸/改進功率密度 耦合電感提升48V變壓效率

2024 年 12 月 04 日

耦合電感助ADAS突破瓶頸 提升系統速度與效率(1)

2024 年 12 月 13 日
前一篇
CSR低功耗藍芽解決方案打造GG Telecom得獎的GGBlu立體聲耳機
下一篇
凌特推出可操作於11GHz 適合多頻應用的雙組RF功率檢測器