創意電子第四代雙倍資料率(DDR4)矽智財(IP)已採用台積電16nm FinFET(16FF)製程技術，並成功通過晶片驗證，成為創意電子第一個採用台積電16FF製程技術的IP。
創意電子總裁賴俊豪表示，此16FF DDR4 IP代表設計上的突破。這是目前創意電子採用台積電16FF製程技術最快速的IP，也代表先進技術設計人員能夠儘快展開新一代裝置設計工作。
全新的16FF DDR4實體(PHY)IP運作速度達每秒3.2Gbit/s，比DDR3 IP提高了50%，而且同一速度下功耗降低25%。此IP具備台積電16FF製程優勢，外部迴路測試(External Loopback)達到3.5Gbit/s，並且以2.7Gbit/s的高速成功讀寫2.4Gbit/s規格的DDR4 DRAM；與DDR4 DRAM連接時，在同一速度下，相較於同一規格的28奈米DDR3 IP，可降低40%核心功耗。
16FF DDR4 IP內建PHY自動訓練模式，不但容易啟動、可節省驗證時間而且可使資料擷取定位(Data Strobe Positioning)達最佳化。此測試晶片(Test Chip)是採用日月光半導體的覆晶封裝(Flip Chip Package, FCBGA)技術，以及南亞電路板製造的增層覆晶載板(Multi-Layer Build Up Substrate)。新IP未來可能運用於各種高速網路架構和伺服器應用。
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