善用CMOS特性 3T SRAM技術難題有解

作者: 湯朝景
2012 年 05 月 24 日
想要以標準互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程挑戰靜態隨機存取記憶體(SRAM)單元(Cell)的最小面積來達到3T SRAM Cell,是一個難以克服的議題。目前4T2R SRAM Cell和5T...
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