美中科技競爭趨勢加劇，使2026年的半導體產業充滿不確定性。美國採取「小院高牆」策略，嚴格管控最先進晶片與製造設備的出口，遏止中國獲取尖端技術。中國則推動科技自立自強，在政府主導下投入巨額資金和政策支援，力求在晶片領域實現自主可控。
2026年的全球地緣政治局勢高度影響著半導體產業，其中以美中關係的競爭最為關鍵，半導體已成為美中科技角力的核心戰場，兩國都視其為國家安全與經濟實力的戰略資產。回顧過去幾十年，全球晶片供應鏈呈現「西方設計、東方製造」的格局，但如今局勢正急遽改變。
2026全球地緣政治背景與半導體產業趨勢
在國家安全考量下，半導體供應鏈正加速分裂為兩套體系：一套由美國主導，另一套由中國主導。美國採取「小院高牆」的策略，嚴格管控最先進晶片與製造設備的出口，以遏止中國獲取尖端技術。中國則視美國的限制為推動科技自立自強的動力，在政府主導下投入巨額資金和政策支援，力求在晶片領域實現自主可控。整體而言，美中科技競爭趨勢加劇，使2026年的半導體產業充滿不確定性。世界各國與企業不得不在兩大強權間審慎權衡，以確保自身的技術發展與供應鏈安全。
這種大國對抗已帶來廣泛影響，美中晶片爭端不僅是產業問題，更是地緣政治博弈的縮影，對全球供應鏈穩定和經濟秩序產生深遠影響。各國開始意識到供應鏈多元化與韌性的重要性：美國及其盟友加強合作打造友岸供應鏈，而中國則積極推動本土替代方案。在地緣政治緊張下，甚至過去被視為理所當然的跨國科技合作也受到波及，顯現出一個世界、兩套系統的端倪。這種局勢使2026年的半導體發展道路充滿挑戰，各方在追求技術進步的同時也須應對地緣政治角力所帶來的風險。
供應鏈安全與先進製程管制
面對半導體對國安與經濟的關鍵價值，美國聯合盟友採取多方面措施，確保晶片供應鏈安全並嚴控先進製程技術的擴散。美國自2022年以來陸續推出多項出口管制措施，特別是針對先進製程晶片和製造設備的嚴格限制。例如，2022年10月美國商務部頒布規定，禁止美國廠商向中國出口尖端AI晶片與半導體製造設備，並進一步限制美國人員參與中國晶片企業。
2023年美國又收緊規定，封堵此前的漏洞，包括禁止改良版AI晶片出口中國，以及限制繞道第三地轉售。2025年，美國更進一步擴大黑名單中的中國科技企業名單，並下令禁止美國與歐洲EDA軟體公司向中國提供尖端晶片設計工具。透過這些高牆政策，美國試圖維持對尖端半導體的領先優勢，防止中國在軍事和人工智慧領域透過先進晶片取得突破。
為加強自身實力，美國亦推出了史無前例的產業投資計畫。《晶片與科學法案》於2022年通過，提供高達527億美元補貼鼓勵半導體在美生產和研發，同時要求受補貼企業不得在中國擴張先進產能。截至2024年中，這項法案已激發了逾3,950億美元的私人投資，並創造超過11.5萬個就業機會。美國亦成功說服全球最大的晶圓代工廠台積電赴美投資設廠，台積電已在亞利桑那建廠，計畫引進3奈米製程產線。此外，美國政府以稅收優惠和關稅手段鼓勵其他海外晶片企業在美設廠。這種以商誘產的策略，搭配潛在的懲罰措施(如對未履行投資承諾者課以關稅)，旨在提高供應鏈在美國本土的比重，降低對海外晶圓生產的依賴。
在盟友協調方面，美國積極組建晶片同盟，聯合主要產業國共同防堵中國獲取先進技術。其中，日本和荷蘭是關鍵夥伴：它們分別是半導體設備和材料領域的重要供應國。2023年1月，美日荷三方達成協議，一同限制先進晶片製造設備出口中國。隨後，日本於2023年3月宣布對23項半導體製造設備實施出口管制，涵蓋清洗、沉積、光刻、蝕刻等六大類設備。荷蘭也在同年6月跟進，規定9月起出口先進浸潤式光刻機等設備須申請許可。這些舉措標誌著美國與盟友在先進製程管制上的緊密合作。儘管中國強烈抗議，稱此舉以國家安全為名行貿易保護之實，但美日荷聯手的出口管制有效延緩了中國半導體產業在先進節點上的腳步。
美國亦著手組建更廣泛的供應鏈安全網路，如倡議建立Chip 4聯盟，邀請日本、南韓、台灣共同討論晶片供應鏈韌性。在2023年，四方代表已舉行首次會議商討合作方向，包括資訊共享、產能協調及研發合作等。雖然南韓出於對中國市場的顧慮立場謹慎，但整體而言，美國與民主同盟國在晶片領域正趨向更緊密的政策協調。例如，日本除了嚴控對中出口外，也投入資金扶植新晶圓廠(如Rapidus公司致力於2奈米製程研發)，並強化與美國的產業協議。歐盟方面同樣與美國保持政策步調一致，在出口管制、供應鏈監測等方面加強合作。透過這些多邊努力，美國及其盟友試圖在先進晶片生態系統中建立起一套壁壘分明的陣營，以確保自身技術領先的同時，將中國排除在最尖端的技術之外。
中國的去美化策略與自立自強進展
在美國組織盟友圍堵之際，中國加速推動半導體領域的去美化與自主自強戰略，以降低對美國技術與產品的依賴，中國政府深諳半導體自主對經濟安全的意義，近年來投入龐大資源培育本土產業。自2014年起成立的國家集成電路產業投資基金(俗稱大基金)已歷經數輪，最新的第三期基金規模高達約475億美元，透過六大國有銀行聯合出資，用於支持晶片研發、生產和設備製造。此舉展現了中國在半導體領域實現自給自足的決心。中國國家主席習近平在中共二十大也明確強調，面對美國科技封鎖，必須加快推動科技自立自強，包括發展關鍵材料、先進製程、打造在地化供應鏈，降低對國外關鍵技術和零組件的依賴。
在政策與資金大力扶持下，中國半導體產業近年取得一些突破性進展，儘管缺乏歐美最先進的製造設備，中國透過技術迂迴實現了7奈米製程的研發：如華為旗下海思半導體與中芯國際合作，據報導成功生產出7nm Kirin晶片，用於最新款智慧手機，顯示在沒有EUV微影機的情況下，中芯亦能利用現有DUV設備透過多重曝光勉強達成7奈米級別。
2023年傳出的消息也指出，中國半導體新創公司研發出6奈米的GPU，預計2025年底試產、2026年量產。這些案例顯示，在美國制裁下，中國企業正努力技術突圍，試圖在先進製程上縮小與全球領先者的差距。同時，中國在記憶體晶片方面也有所斬獲，如長江存儲推出了國產128層3D NAND快閃記憶體，在封裝整合技術上有所創新。然而，美國於2022年底將長江存儲列入實體清單限制其取得美國設備，導致其進一步技術提升受阻，這也凸顯中國企業面臨的挑戰。
去美化供應鏈是中國近年的明確策略，目的為移除關鍵領域對美技術的依賴。例如，在EDA軟體領域，中國投入資源培養本土EDA供應商，力求建立從晶片設計到布局驗證的自主工具鏈。晶片製造設備方面，中國廠商近年持續研發蝕刻機、薄膜沉積設備等，技術能力逐步提升。有分析指出，中國頂尖設備企業與美國應用材料公司的技術差距已縮短到約7年。儘管如此，在最關鍵的光刻機領域，中國仍面臨明顯短板。目前荷蘭ASML公司的EUV光刻機完全禁止對華出口，連先進的ArFi浸潤式DUV光刻機在2023年後也須申請許可。中國本土研發的光刻機尚停留在28奈米以上的成熟製程階段，短期內無法支援先進節點製造，因此，尖端製程能力將是中國半導體自強路上的最大限制之一。
除了設備，半導體原材料與零組件也是中國實現完全自主的瓶頸，許多晶片製造所需的特種材料(例如光刻膠、高純度化學品)長期以來依賴日本、歐洲進口；晶片設計所需的矽智財則多由美國與英國公司提供，美國2023年加強對晶片相關人才與技術交流的管控，美國公民和永久居民被限制為中國企業工作。這導致中國在獲取國際先進知識和高階人才方面受阻。然而，中國也在積極培養本土人才，鼓勵留學生和海外專家回國效力。一些研究機構的統計指出，歐洲imec研究中心近年相關領域博士畢業生中，多數中國學生學成後選擇回國。這有助於中國逐步壯大自身的研發實力。
總體而言，截至2025年底的狀況顯示，中國半導體在去美化與自給自足上取得一定進展：國產晶片自給率從幾年前不到20%提高到約50%左右，但距離官方設定2030年100%進口替代的目標仍有很大差距。未來一年內，中國將持續在政府引導下加強投入，預計透過擴大產業補貼、稅收優惠及科研專案等手段，支持國產晶片的研發和量產。同時，中國也可能採取更加靈活的國際合作策略，如加強與其他非美國陣營國家的技術合作，以及推廣RISC-V等開源晶片架構以繞過西方的技術封鎖。然而在短期內，高階製程受制於人的局面難以根本扭轉，中國晶片產業仍須在外部限制下尋找突破口，可能更多地著重於成熟製程、大規模晶圓產能和先進封裝技術等方面，以部分彌補在奈米級競賽中的劣勢。
