士蘭微電子近期推出新一代F-CellTM系列高壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。這是士蘭自主研發所推出的第四代平面結構高壓MOSFET產品，工作電壓可以覆蓋400～900V區間，工作電流在1～18A，已被廣泛應用於LED 照明AC-DC功率電源、DC-DC轉換器，以及PWM馬達驅動等領域。
F-CellTM可以相容多晶穩壓管結構以提高ESD特性，具有高可靠性，高效率，高EAS能力，導通電阻低，動態參數優等特點，其採用尺寸較小的保護環結構，在相同規格的條件下，具有相對較小的晶片面積，此優勢能有效增加晶片的利用率且降低製造成本。而F-CellTM也強化柵氧化層的厚度和製程品質，提高柵源擊穿電壓，從而提升產品穩定度，在經過HTRB可靠性試驗後，IDSS仍然可以維持在幾nA的高水準，證明F-CellTM於長時間工作下的高可靠性。
此外，F-CellTM在設計及製程上的演進，有效強化原胞結構，減少JFET效應，使零件的單位面積導通電阻明顯減小，從而降低零件的導通損耗；另外，透過對多晶柵進行重摻雜處理，提高零件的回應速度，也提升轉換效率及降低開關損耗。經過客戶的實際的整機生產及驗證結果，F-CellTM高壓MOSFET產品已達先進的平面製程水準，性能也可媲美其他知名大廠，目前已穩定量產中。
士蘭網址：www.silan.com.cn
