大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

作者: 宣融 / 廖宸梓 / 胡智威
2013 年 06 月 06 日
大尺寸矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板發展露曙光。工研院利用氮化鋁(AIN)緩衝層薄膜材料,以及氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵超晶格(Superlattices)低缺陷密度緩衝層技術,已成功製作出高品質且表面無破裂的矽基氮化鎵磊晶圓,讓該技術可望邁入6吋以上晶圓世代。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

提高投資報酬率 智慧型太陽能系統當道

2011 年 08 月 22 日

智慧型手機助燃 LBS/AR創意應用引爆

2011 年 09 月 01 日

兼具低功耗、體積小優勢 APU打造多螢數位電子看板

2014 年 01 月 12 日

串列式EEPROM襄助 拋棄式醫療配件監管更效率

2014 年 09 月 22 日

光源功率/光罩檢測大有斬獲 EUV微影商用有眉目

2015 年 08 月 03 日

OTN技術奠基高效光傳輸平台  DCI光纖網路擴展一路暢通

2016 年 10 月 24 日
前一篇
Computex:Haswell繪圖/功耗表現大躍進
下一篇
Computex:高通/英特爾晶片搶先支援Win 8.1