安全GaN FET加持 圖騰柱無橋PFC超越鈦金級效率

2016 年 07 月 14 日
氮化鎵(GaN)技術由於出色的開關特性和不斷提升的品質,近期來逐漸得到電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN FET可實現更高的開關頻率,效率更超越鈦金級門檻要求,從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

利用CCD取像技術 新型態多點觸控螢幕成形

2008 年 06 月 06 日

通用大/小型電池 主動平衡BMS引領電動車發展

2011 年 05 月 05 日

數位增益強化輸出訊號 MEMS麥克風效能大躍進

2012 年 07 月 12 日

降低成本攸關存亡 晶圓廠製程管制成顯學

2016 年 07 月 18 日

SiC/GaN最佳化傳動系統效率 實現EV節能設計(1)

2024 年 02 月 02 日

強化失效解析/突破製造良率 TGV成絕緣中介層明日之星

2025 年 10 月 15 日
前一篇
硬體/軟體/雲端三合一 司亞樂全力進攻物聯網市場
下一篇
高/低頻量測面臨新難題 國家儀器VST 2.0一手搞定