安謀國際支援台積電90奈米製程高速動態記憶體介面

2007 年 01 月 22 日

安謀國際宣布其Artisan實體層IP系列中VelocityDDR1/DDR2高速動態記憶體介面,支援台積電90奈米製程。其Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面為通過台積電IP品質測試可量產90奈米IP方案。
 

90奈米Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面,提供最佳化解決方案,使個人電腦/網路設備/伺服器等各種需要同步動態隨機存儲器(Synchronous DRAM, SDRAM)產品,能擴充功率/效能。這些可支援DDR1/DDR2的雙倍資料率解決方案,可以達到最快800 Mbps的資料傳輸率,並在SDRAM元件/記憶體控制器之間建置完整傳輸介面。
 

安謀國際實體層IP部門總經理Brent Dichter表示,安謀國際致力提供生產高品質,經市場驗證的IP,以協助客戶成功設計出符合需求的SoC。通過台積電IP品質認證,Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面解決方案充分證明安謀國際Physical IP的品質,並為雙方的客戶帶來值得信賴的SoC解決方案。
 

安謀國際網址:www.arm.com
 

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