宜特宣布正式啟動次2奈米世代原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)新材料選材與驗證服務，進一步延伸至化學材料端的選材、鍍膜測試與品質確認。此舉使宜特不僅扮演晶片驗證夥伴，更成為材料廠商開發新配方的關鍵加速器。
宜特觀察發現，晶圓代工大廠、IDM廠在今年下半年，陸續在2奈米、18A進入量產，均屬立體電晶體架構，對ALD設備與新材料需求大幅擴張。如何在複雜3D結構中均勻鍍膜，是最困難的一環。傳統化學氣相沉積(CVD)與物理氣相沉積(PVD)在3D結構上均有限制。以PVD為例，透過蒸鍍或濺鍍方式，往往無法覆蓋內部深層區域；CVD則因氣體反應速率過快，容易導致薄膜厚度不均。
相較之下，ALD技術以「原子層逐層沉積」可精準控制膜厚，及其生成的薄膜具高均勻度及覆蓋性優異，被視為2奈米後之先進製程不可或缺的關鍵技術。但ALD沉積速度慢、參數複雜，及其新材料反應條件的掌握尤為嚴苛。宜特推進ALD新材料驗證平台，可協助材料商在開發階段完成鍍膜實驗，快速評估新材料薄膜的品質與一致性，縮短客戶開發週期。
目前業界ALD於製程段可用於製造高介電薄膜及相關先進電晶體(例如GAA/CFET)；而另外將ALD應用於試片製備時的保護層以避免樣品損傷，這已是在TEM分析上的常規作法。然而，宜特的ALD能力並不僅止於此，而是進一步串接「材料選擇 → 鍍膜製程 → 薄膜分析 → 製程驗證」，協助化學材料商、晶片製造商與設備供應商完成新材料驗證與最佳化，提供更完整的產業鏈「材料端至晶片端」之間的分析驗證。
宜特表示，未來半導體的突破不僅來自製程微縮，更仰賴新材料的導入。宜特藉由ALD新材料驗證，將協助材料與設備供應鏈加速定義下一世代標準，成為推動次2奈米世代後的關鍵力量。
隨著半導體進入新材料時代，宜特透過ALD新材料驗證平台服務，將持續拓展「晶片驗證 + 新材料驗證」雙軌成長曲線，為客戶提供差異化解決方案，亦將成為推動宜特後續營運新引擎。
