專訪羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮 ROHM量產溝槽式SiC-MOSFET

作者: 侯冠州
2015 年 09 月 07 日
SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發出採用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET,並已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比,可降低50%導通電阻,大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業用變流器等設備的功率損耗。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

克服技術/安全/法規 LED車燈市場指日可待

2008 年 12 月 29 日

看準新興市場發展潛力 台半導體廠力拓穿戴式商機

2013 年 12 月 26 日

安內攘外一舉兩得 儀器業者厚植軟實力

2016 年 10 月 03 日

電商擴張觸發危機意識 智慧零售市場急遽擴增

2017 年 09 月 11 日

垂直應用含金量不容小看 無人機大廠競相布局

2022 年 12 月 15 日

結合數位孿生概念 機房散熱規劃進入新時代(2)

2024 年 07 月 02 日
前一篇
鎖定MEMS下波商機 致動器成ST新寵
下一篇
松翰新方案結合通訊軟體實現物聯網理想