德州儀器(TI)宣布推出新款600V氮化鎵(GaN)70 mÙ場效應電晶體(FET)功率級工程樣本–LMG3410，進而使該公司成為首家能夠供應高壓驅動器整合的GaN解決方案的半導體廠商。與基於矽材料FET的解決方案相比，新產品與該公司的類比和數位電力轉換控制器組合在一起，能讓設計人員開發出尺寸更小、效率及效能皆更高的設計。
該產品借助其整合式驅動器和零反向恢復電流等特性提供可靠的效能，特別是在硬開關(Hard-switching)應用中更是如此，並能夠地降低高達80%的開關損耗。與獨立的GaN FET不同，該產品針對溫度、電流和欠壓閉鎖(UVLO)的故障保護整合了內建智能機制。
同時，該產品為首款整合由該公司生產的GaN FET的半導體積體電路(IC)。基於多年在製造和製程技術領域上的專業，該公司在其矽技術相容的工廠內創造出GaN裝置，並且透過層層測試，使這些裝置的品質超過了典型電子裝置工業委員會(JEDEC)標準的要求，以確保GaN在要求嚴格使用情況下的可靠性和穩健耐用性。易於使用的封裝將有助於增加功率因數控制器(PFC) AC/DC轉換器、高壓DC匯流排轉換器和光伏(PV)逆變器等應用中GaN電源設計的部署和採用。
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