恩智浦(NXP)推出全球首款n通道、1毫歐以下25伏特金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品–PSMN1R2-25YL。該產品擁有最低的導通電阻(RDSon)與FOM參數。該產品是目前為止採用Power-SO8無損封裝(Loss Free package, LFPAK)中具備最低導通電阻的MOSFET產品，也是恩智浦現有MOSFET產品系列的延伸。
恩智浦資深國際產品行銷經理John David Hughes表示，在MOSFET製造技術領域，性能改善是一場長時間的競賽。最新Trench 6中採用創新技術，進一步降低導通電阻。對客戶而言，新的Trench技術為他們帶來許多效益，如提高矽技術的開關效率及在封裝上提供更為優異的電阻和熱阻封裝性能。
最新一代MOSFET產品整合了高性能Power-S08無損封裝與最新Trench 6代矽技術，可在多種特殊要求的應用條件下，如電源OR-ring、電機控制(Motor Control)和高效同步降壓調節器(Buck-regulators)等，提供不同的性能與可靠的優勢。除了全球最低的導通電阻MOSFET外，恩智浦亦推出為電源供應、電機控制和工業市場設計的新產品系列。
恩智浦網址：www.nxp.com
