意法半導體(ST)宣布在功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)晶片的性能方面取得巨大突破，採用最新的MDmesh V技術， 擁有業界單位晶片面積最低的導通電阻。 MDmesh V使意法半導體新一代650伏特MOSFET，採用緊湊型功率封裝，可將RDS(ON)降到0.079歐姆以下，擁有業界領先的效能和功率。這些產品應用主要鎖定以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉換系統。
33安培的STP42N65M5是意法半導體首款的MDmesh V產品，採用TO-220封裝，額定導通電阻為0.079歐姆。降低的導通電阻有助於提升效能，在大多數功率轉換系統中，可提供業界最低的RDS(ON)。STx42N65M5全系列產品還提供其它的封裝選擇，包括表面貼裝D2PAK及TO-220FP、I2PAK和TO-247等封裝。
目前已量產的STx16N65M5系列也是650伏特產品，額定RDS(ON)為0.299歐姆，額定電流為12安培。該公司MDmesh V 650V MOSFET產品藍圖還包括電流更大的產品，RDS(ON)低至0.022毆姆的Max247封裝及0.038歐姆的TO-247封裝。 這些產品預計在2009年3月上市。
意法半導體網址：www.st.com
