意法提升車用40V MOSFET雜訊表現和效能

2016 年 11 月 18 日

意法半導體(ST)發布兩款40V車用等級MOSFET。新產品採用該公司最新的STripFET F7製造技術,開關性能優異、效能出色、雜訊輻射極低,且抗干擾能力強。新產品最大輸出電流達120A,主要應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統,同時優異的開關特性使其適用於馬達驅動裝置,例如,電動助力轉向系統(Electric Power Steering, EPS)。


該公司的STripFET系列,採用DeepGATE技術,達到降低晶片單位面積導通電阻和RDS(on)×柵電荷(Qg)值,在採用相同的功率元件封裝條件提供更高的效能。高雪崩耐受度特點是此新產品另一大亮點。


透過降低體效應二極體的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時間(trr),STripFET F7增強切換性能和大幅提升產品效能,另外軟性反向恢復可大幅降低靜電干擾 (electromagnetic interference, EMI),從而放寬對濾波元件的要求。


此外,優化此裝置的容值,使元件抗干擾性獲得改善,緩解對緩衝電路的需求,柵極磁滯電壓校調,使元件具有良好的抗干擾功能,而無需專用柵極驅動器。在馬達驅動等電橋拓樸中,二極體軟性恢復特性,有助於防止直通電流現象發生,從而提升驅動電路的可靠性。

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