捷特科無鉛MOSFET減少1/2電路占位面積

2008 年 03 月 20 日

捷特科(Zetex)推出採用無鉛式2毫米×2毫米DFN封裝的金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)產品。ZXMN2F34MA元件的印刷電路板(PCB)面積比業內採用標準SOT23封裝的元件小50%,離板高度只有0.85毫米,適用於各類型空間有限的開關和功率管理應用,例如降壓/升壓負載點轉換器中的外部開關裝置。
 



因為對於這些應用來說,PCB的占位面積、熱效能和低臨限電壓都相當重要。新MOSFET是捷特科一行六款新型低電壓–20及30伏特N通道單獨及雙重式元件的其中一款,系列中設有多種不同的表面黏著封裝可供選擇。
 



額定電壓為20伏特的該產品雖然尺寸小巧,但其熱性能卻遠勝體積更大的SOT23封裝。該元件採用的DFN322無鉛式封裝,熱阻比同類零件低出40%,有助提升散熱效益、改善功率密度。在4.5及2.5伏特的典型閘源電壓下,該元件的通態電阻分別為60和120毫歐姆。
 



此外,新元件的逆向修復電荷較低,有助減低開關損耗及緩解電磁干擾(EMI)問題,適用於筆記簿型電腦、行動電話及通用可攜式電子設備中的低電壓應用,確保在線功率損耗維持在低水平,從而延長充電間距。
 



捷特科網址:www.zetex.com

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