採用屏蔽閘極結構 中電壓MOSFET功耗銳減

2013 年 12 月 12 日
同步整流架構是現今許多數據和電信設備電源系統的主要設計方式,其效率的高低與採用的MOSFET開關損耗表現息息相關,因此半導體業者研發出新的閘極屏蔽溝槽式中電壓MOSFET,可進一步降低導通電阻,在全負載和輕負載情況下,皆能顯著減少功率損耗。
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