三星(Samsung)宣布8Gb LPDDR4已投入量產。目前行動裝置記憶體仍由LPDDR3占據主流地位，但LPDDR4低工作電壓和高傳輸速率的特性和現今行動裝置對省電和大資料傳輸容量的需求相當契合；三星利用20奈米(nm)先進製程大量生產LPDDR4，有助其在下一波行動裝置記憶體市場取得先發地位。
三星記憶體市場銷售執行副總裁Joo Sun Choi表示，20奈米8Gb LPDDR4甚至比個人電腦(PC)和伺服器的記憶體速度還要快，耗能也更為降低，如此一來也能及時趕上超高畫質(UHD)、大螢幕手機裝置的誕生。一旦LPDDR4樣品問世，三星也會持續和其他手機製造商展開密切合作，讓動態隨機存取記憶體(DRAM)解決方案能適應下一代手機作業系統環境。
新一代記憶體LPDDR4規格因供電電壓降為1.1伏特(V)，可以滿足行動裝置對低耗能的需求；以2GB的封裝為例，新款記憶體晶片因低電壓特性比4Gb LPDDR3省電40%，提升網路系統運作效能；除此之外，三星也在該晶片I/O訊號採專利低電壓擺幅終端邏輯(LVSTL)，讓晶片耗能進一步降低。
據了解，該公司12月就已開始提供以8Gb和6Gb裸晶(Die)所組成的2GB和3GB LPDDR4記憶體封裝，以供應全球應用處理器供應商和手機製造商；4GB LPDDR4封裝則要等到2015年初，預計此舉能火速擴增20奈米DRAM陣容產量，並讓LPDDR4加速滲入行動裝置市場。
